n—InP在Fe^3＋／Fe^2＋溶液中光脉冲暂态行为（Ⅳ）

研究了波长、温度及表面处理对ｎ－ＩｎＰ光脉冲暂态行为的影响。结果表明，波长对时间常数无影响；随着温度升高，峰值下降，衰减变快。讨论了表面处理的影响，并对实验结果作了必要的解释。     

n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中复阻抗的计算机拟合分析

本文测定了不同电位及不同光强下, n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中的复阻抗图, 从一个等放电路用计算机对结果进行了拟合, 并对拟合结果进行了讨论。     

n-GaAs为基的光电化学电池输出特性

GaAs 的禁带宽度为1.428eV,而且是直接跃迁,是光电化学电池中很好的电极材料.一些作者研究了 n-GaAs 为基的光电化学电池^[1,2].本文讨论了光强,化学刻蚀、氧化还原对浓度及离子修饰对 n-GaAs 光电化学电池输出特性的影响.所用的电极为低阻 n-GaAs[(100)面],N_D=5.1×10¹⁷cm^-3,试验前通高纯氮20分钟.测光强用的辐照计经上海计量局校正,其它测试方法同前文^[3].     

n-InP旋转圆环圆盘电极在光跃下环暂态电流研究

The transient ring currents of the RRDE n-InP semiconductor disk-gold ring irradiated with a light step from dark to 25 mW·cm~(-2) with the seven different rota-tion speeds between 590 and 7000 r. p. m. in 0.101 mol·L~(-1) K_4 Fe(CN)_6 have been studied Experimental data were fitted by the computer. The diffusion coefficient of [Fe(CN)_6]~(3-) ion found is D=3.3×10~(-6) em~2·s~(-1) and the theoratical collection efficiency calculated for thin-gap and thin-ring RRDE is N=0.20 these are in good agreement with the literature. The experimental value of ωτ_0 agree with the theoratical value.The agreement between the experiment and the theory suggests that the electrode reaction on n-InP is a simple photoelectro-chemical reaction, i.e.[Fe(CN)_6]~(4-)+h~+→[Fe(CO)_6]~(3-).     

n-CdSe/Fe(CN)64-/3-光阳极上的光氧化竞争反应及用L-B技术修饰电极的影响

用旋转环盘电极研究了还原剂K₄Fe(CN)₆与n-CdSe光阳极上的竞争空穴的氧化反应,证明还原剂捕获光生空穴的途径为直接自价带俘获空穴。又利用L-B技术在n-CdSe电极表面修饰硬脂酸二茂铁酯,结果表明还原剂俘获光生空穴的能力增强,电极的稳定系数提高。     

全氟卤代烷在氯磺酸中的电化学反应

本文报道了以氯磺酸钾为电解质, 铂为电极, 进行氯磺酸的阳极氧化, 产生过氧二磺酰氯, 并和阳极池内α,ω-氯磺含氟烷进行反应, 生成相应的氯磺酸酯, 反应主要副产物为α,ω-二氯全氟烷, 在阳极有大量氢气逸出, 并得到碘。     

n-InP半导体电极平带电位的研究

用微分电容法及强光照开路电位法研究了电解质溶液的pH、氧化还原对、交流电频率、n-InP晶面及表面处理对其液结界面平带电位的影响,并测定了n-InP半导体电极的一些参数.     

n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中光脉冲暂态行为研究——Ⅲ.运用FFT运算测复收集率图

应用光脉冲技术借助计算机由FFT运算测定了n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中复收集率图,结果为一第四象限内半园,由理论模型从园心位置、园半径及特征频率可算出三个动力学参数;研究了电极电位及光强对这些参数的影响,并对结果进行了讨论。     

n-InP/Fe3+, Fe2+界面在小信号电流阶跃下的暂态行为

应用小信号电流阶跃法研究了光照下n-InP/Fe~(3+), Fe~(2+)界面, 此时电位变化符合双指数规律, 这和理论推导是一致的。在时间很短时, 电位与时间成线性关系, 从直线斜率可求出空间电荷区电容。     

n-InP旋转圆环圆盘电极在光跃下环暂态电流研究

半导体盘金属环旋转环盘电极在光强阶跃下环电流暂态技术的研究在文献上尚较少报道,Franco Decker对SrTiO_3进行了半定量研究,本文研究了n-InP电极,并对实验结果进行了定量处理及讨论. 实验部分实验装置如图1所示,半导体电极为n-InP[(100)面,N_0=2×10~(17)cm~(-3)],环用金,盘半径R_1,环内径R_2及外径R_3用读数显微镜测定,其值分别为3.76±0.2mm,4.24±0.04mm及6.05±0.06mm.溶液为0.101mol·L~(-1)K_4Fe(CN)_6,参比电极用铂丝同时电解池经屏蔽