聚氯乙烯-聚乙烯醇的相容性及其复合多孔膜的结构与性能

通过溶液成膜法制备了聚氯乙烯-聚乙烯醇(PVC-PVA)复合多孔膜,从聚合物混合焓及分子之间相互作用的角度探讨了PVC和PVA两者之间的相容性,采用扫描电子显微镜(SEM)、接触角测量仪及平板超滤膜测试仪等分析了复合多孔膜的孔形貌、亲水性、过滤性能及力学性能.研究结果表明,在PVC-PVA复合体系中,大分子之间可形成氢键及偶极相互作用,混合焓随PVA在聚合物中质量分数的增大而呈现先增大后减小的趋势, PVC-PVA总体上为部分相容.与纯PVC膜相比, PVC-PVA复合多孔膜断面的“指状孔”特征减弱,而“海绵孔”特征增强,且纯水通量增大、耐污染性能改善、力学韧性增强.当PVA在聚合物中的质量分数为9%时,复合多孔膜的纯水通量是纯PVC膜的4倍,对PEG100000的截留率为80%,强度为3.5 MPa,断裂伸长率为26%,在水处理领域具有良好的应用前景.     

旋转挤出加工制备高性能聚合物管

聚合物管主要用于流体压力输送,要求环向强度高,耐应力开裂性能好,使用寿命长。我们借鉴天然管竹子因竹纤维轴向排列使其轴向破裂易,横向破裂难的结构特点,提出形成偏离轴向的增强相结构可以显著提高聚合物管的性能,自行设计研制了新型的聚合物管旋转挤出装置,通过芯棒和口模独立可调的旋转运动与轴向速度可调的挤出/牵引运动的不同组合,形成与常规挤出不同的应力场,并通过管内外壁双冷技术调控聚合物管中温度场,从而在聚合物管中形成和定构不同层次的偏离轴向排列的增强相结构(如取向分子、串晶、原位成纤诱导形成串晶、外加纤维等),大幅度提高聚合物管的环向强度和耐应力开裂性能,如旋转挤出聚乙烯管形成偏离轴向串晶结构,使其环向拉伸强度和裂纹引发时间分别比常规挤出聚乙烯管提高78%和544%。我们还从理论上分析了旋转挤出中聚合物的流变行为,得到其流动速率数学表达式,阐明旋转挤出形成偏离轴向增强相结构的机理。旋转挤出加工为制备高性能聚合物管提供新设备、新技术、新理论。本文简要总结了我们通过旋转挤出制备高性能聚合物管的一些研究工作。     

高迁移率Ge沟道器件研究进展

高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率, 成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS) 器件极有潜力的候选材料. 然而, 对于Ge基MOS器件, 其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS 器件性能的提升, 尤其是Ge NMOS器件. 本文重点分析了Ge基器件在栅、源漏方面面临的问题, 综述了国内外研究者们提出的不同解决方案, 在此基础上提出了新的技术方案. 研究结果为Ge基MOS 器件性能的进一步提升奠定了基础.     

丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯的合成

含氟丙烯酸树脂的性能明显优于普通丙烯酸类树脂,其表面能、折光率、摩擦系数均低,耐候、不粘、疏水、疏油、防尘、化学性质稳定,已用作纤维处理剂、皮革助剂、光纤涂覆剂、光纤材料、耐候涂料、齿科材料等。合成含氟丙烯酸树脂的单体,目前国内依赖进口,合成步骤多、反应周期长,使用的有机酸原料几乎都为甲基丙烯酸。本文使用丙烯酸和四氟丙醇(简称为N1醇)为原料,合成丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯(TFPA),考察了阻聚剂类型、原料配比、硫酸的添加量、反应时间等对产物收率的影响。     

The modulation of Schottky barrier height of NiSi/n-Si Schottky diodes by silicide as diffusion source technique

This paper reports that the Schottky barrier height modulation of NiSi/n-Si is experimentally investigated by adopting a novel silicide-as-diffusion-source technique, which avoids the damage to the NiSi/Si interface induced from the conventional dopant segregation method. In addition, the impact of post-BF₂ implantation after silicidation on the surface morphology of Ni silicides is also illustrated. The thermal stability of Ni silicides can be improved by silicide-as-diffusion-source technique. Besides, the electron Schottky barrier height is successfully modulated by 0.11~eV at a boron dose of 10¹⁵~cm^-2 in comparison with the non-implanted samples. The change of barrier height is not attributed to the phase change of silicide films but due to the boron pile-up at the interface of NiSi and Si substrate which causes the upward bending of conducting band. The results demonstrate the feasibility of novel silicide-as-diffusion-source technique for the fabrication of Schottky source/drain Si MOS devices.