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本文研究了铬(Ⅵ)-苯基荧光酮(PF)-+六烷基二甲基氨基乙酸(CDMAA)体系的分光光度特性和最适宜的显色条件。在两性表面活性剂CDMAA存在下,于pH5.5~7.4的缓冲介质中铬(Ⅵ)与pF形成1:3的紫红色配合物,显色体系在576nm处有最大吸收,其摩尔吸光系数为1.46×10 ̄5L·mol ̄(-1)*cm ̄(-1),铬(Ⅵ)含量在0~8.0μg/25mL范围内符合比尔定律,变异系数为1.03%~4.33%。方法简便,灵敏度高,精密度和准确度好,在混合掩蔽剂存在下,可直接测定水中铬(Ⅵ)。 相似文献
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利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)研究了在氧化硅衬底上生长的α-四噻吩(α-4T)薄膜的表面形貌及分子取向。在低温下,获得了大尺寸、高有序的α-4T薄膜,为横向生长模式。衬底温度35 ℃以上转为纵向生长模式。晶体结构分析发现,α-4T薄膜属于单斜晶系,分子c-轴垂直基板排列。强的衍射峰和高有序的衍射峰意味着α-4T薄膜具有高的有序性和结晶性。电性能研究发现,提高衬底温度有利于提高薄膜的迁移率,衬底温度为35 ℃时器件迁移率为3.53×10-2 cm2·V-1·s-1。但衬底温度进一步增加,迁移率反而下降,与原子力分析结果一致。低温退火可以降低器件的亚阈值陡度,从13.27 V·dec-1降低到3.83 V·dec-1,使器件的界面缺陷降低,电性能提高。 相似文献
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为研究掺杂石墨烯量子点(GQDs)对聚合物电池的影响,采用溶剂热法制备了GQDs,掺杂到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物(P3HT∶PCBM)中作光敏层制备了聚合物太阳能电池。掺杂不同浓度的GQDs后,聚合物电池的开路电压和填充因子都比未掺杂器件高。GQDs掺杂质量分数为0.15%时,形成的掺杂薄膜平整、均匀,填充因子提高了17.42%。GQDs经还原后,随还原时间的延长,填充因子FF增大。到45 min时,电池的FF基本稳定,从31.57%提高至40.80%,提高了29.24%。退火后,获得了最佳的掺杂GQDs的聚合物太阳能电池,开路电压Voc为0.54 V,填充因子FF为55.56%,光电转换效率为0.75%。 相似文献
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