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A boron-lined proportional counter (BLPC) with a count rate limit close to the multi-wire proportional counter was manufactured to measure the mixed field around reactors. After measurement with a standard Am-Be neutron source (activity: 100 mCi), the results show that the operating voltage of the BLPC is 800 V, the plateau length is 100 V and the slope is 13.2%/100 V. The width and rise time of the output pulse of the BLPC are 1.26 μs and 370 ns, respectively. When the BLPC works at a count rate of 1.0×105 count/s, the pulse pile-up probability of the BLPC is 3.6%. A clear peak can be seen in the pulse height spectrum of the BLPC. and the performances illustrate that a BLPC working in pulse mode can serve as a source range detector of reactors. 相似文献
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利用标准的固相反应法在1 350 ℃烧结了Gd(1-x)ZnxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)样品.利用X射线衍射(XRD)对其晶体结构进行了研究.X射线衍射测量表明样品的单胞仍然具有正交结构.用Rielveld方法进行了结构精修,结果表明,随着Zn掺杂浓度的变化,导致A位原子半径的变化,样品的晶格常数、晶胞体积Mn-O键长、Mn-O-Mn键角随之变化.在Zn掺杂浓度x=0.4时,这种变化达最大. 相似文献
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MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移率达120cm2/V·s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明:随着S掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流于浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺S量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象。 相似文献
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气体辅助注射成型表层熔体形成机理的分析 总被引:2,自引:0,他引:2
基于等温条件下下幂律流体的流动分析,对圆管气体辅助注射成型过程中影响表层熔体形成的因素进行了分析,指出在等温条件下牛顿流体所形成的表层熔体厚度比值约为0.3,接近试验值0.34-0.37,非牛顿流体的值(<0.3)小于实际气辅成型值(约0.38)。文中对产生这一偏差的非等温条件下的影响因素进行作了进一步的分析,认为除了熔体温度、模具温度以及气体延迟时间对聚合物表层熔体的形成有重要影响,熔体/气体前沿之间的压力梯度值以及熔体/气体界面之间的剪切应力都对气体穿透过程中表层熔体的形成有重要影响。 相似文献
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通过二次回归正交设计对激光诱导击穿光谱实验参数优化建模 总被引:1,自引:0,他引:1
激光诱导击穿光谱(LIBS)为多元素同时分析提供了一种简单、快速的分析工具。对LIBS多元素同时分析时实验参数优化,提出了一个"综合信背比(ISBR)"的优化目标函数。基于二次回归正交设计(QROD)构建了激光脉冲能量、检测延时、样品距透镜距离、积分时间这些因素对目标函数影响的多因素模型。结果表明,目标函数可以顾及多条谱线性能,为多元素同时分析提供参数优化的依据。利用QROD方法建立多因素模型,可以获得比单因素逐个优化更优的实验条件,并大大减少了实验次数。 相似文献
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用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析 ,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响。结果表明 :合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN∶Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早 ,气流混合时间长 ,GaN∶Si膜的黄带与带边发射强度之比较大 ,X射线双晶衍射半高宽较宽 ;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚 ,尽管可减少预反应 ,但气流混合不均匀 ,致使GaN∶Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长 ,获得了光电及结晶性能良好的GaN∶Si单晶膜。 相似文献
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近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一. 研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得: 当涂硼电离室的工作电压在700 V以下时,漏电流小于1.0 pA; 用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500 V, 坪斜为3.72×10-4 V-1;当涂硼电离室的工作电压为400 V时, 对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关, 将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA. 用137Cs和90Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为 1.0---2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显. 电离室中子探测灵敏度达1.0×10-15 Acm2s量级, γ射线探测灵敏度达9.0× 10-22 Acm2s·eV-1量级. 这种涂硼电离室漏电流小、灵 敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量. 相似文献