Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体与氧化物衬底材料的反应性估计

测定了一系列氧化物的电子结合能，显示了铋系超导体与二元氧化物衬底材料的化学反应性可以用固态酸碱反应理论来描述，其反应性大小除了可以用衬底氧化物的酸碱参数估计以外，还可以用衬底氧化物氧离子的内层电子结合能估计．     

Ba-K-Bi-O和Ba-K-Pb-O氧化物的碘量滴定

本文提出了碘量法滴定Ba－K－Bi-O和Ba－K－Pb－O氧化物中Ba和Pb的名义价态，然后据此计算这些氧化物中K和Ba含量的方法。该法适用于正常条件下合成的具有ABO3型钙钛矿结构的Ba－K－Bi-O和Ba－K－Pb－O晶体。用本法的滴定结果表明，Tc为31K的Ba－K－Bi-O超导体的K含量为0．4，当K含量减少时，Tc随之下降。     

低能离子散射谱分析中的荷电效应及中和作用

用低能离子散射谱（ISS）对比分析了与样品托有良好电接触的和与样品托绝比的金属银片，观察到荷电效应对ISS分析有严重影响。实验还表明在ISS分析时使用低能电子中和枪可以有效地消除荷电效应，还发现电子中和枪的使用对于惰性气体离子的中和作用无明显影响。     

Ba-K-Bi-O超导体熔盐阳极电结晶研究

用ＸＰＳ和ＸＲＤ表征了Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ超导体熔盐电结晶的阳极和阴 极产物，用ＳＥＭ分析了Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ单生长形态。结果表明，阳极产物是Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ超导体单晶，以台阶式方式生长。－Ｋ－Ｂ－     

K-Pb-Tl-O复合氧化物的合成和电子结构的XPS研究

用熔盐阳极电沉积法合成了导电的复合氧化物K-Pb-Tl-O晶体.这些晶体具有纳米尺寸层状结构.用XPS对其进行了表征,并与相关的化合物进行了比较.实验表明,氧化物中的Pb和Tl都以高价态的单一价态存在,但电子结合能比相应的非导电低价化合物的低.该文用原子外弛豫效应解释了复合氧化物中的Pb和Tl的结合能的反常现象.讨论了它们的价电子结构与导电性的关系.     

XPS分析中使用样品磁透镜引起的谱峰位移和峰形畸变

发现当使用Mg/Al双阳极和样品磁透镜进行非导电样品（或与样品托绝缘的导电样品）的X射线光电子能谱分析时，谱峰出现异常大的位移和谱形出现畸变；在同时使用电子中和枪时谱峰位移变小，当导电样品与样品托有良好的电接触时谱峰位移消失；作者提出这种异常大的位移来自样品荷电效应，后者是由于样品磁透镜的磁场与来自X射线枪A1窗的低能杂散电子发生了相互作用并使这些杂散电子不能到达样品表面起中和作用所致。     

导电高分子膜包覆YBa2Cu3O7超导体抗环境作用的研究

通过电化学途径和化学途径在ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７超导体表面制备了导电高分子聚吡咯膜，用以保护超导体不受环境作用的影响，实验结果发现电化学过程能破坏ＹＢａ＿２Ｃｕ＿Ｏ＿７的超导性，而采用化学法制备的聚吡咯和聚氯乙烯混和材料包覆在ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７表面后，超导体不仅保持原有超导性，而且有很好的保护超导体免遭环境中酸和水作用的能力。     

高温超导体的Cu-O键型和氧上的部分电荷

多数钙钛矿型化合物是离子型绝缘体，而高温超导化合物则有金属电性，它们是以什么键型为主？对此等人[1]认为用共价或金属成键图像描述高温超导体在化学上更合理，Nepela等人[2]指出超导体临界温度（Tc）随阴离子平均电负性与阳离子平均电负性之差增大而升高．这意味着离子性较强的超导体有较高的人．杨频等问运用晶型键参数方法估算结果表明高温超导体属干部分离子性与部分共价性键．以上不同的结果都是基丁理论处理或估算得到的·本文试图在实验上通过比较不同成键特征的铜化合物的x光电子能潜（＊P8）来估计对高温超导性起重要作用的C…     

YBa2Cu3O—7超导体中钡的价态

对于YBa_2Cu_3O_(～7)超导体的Ba 3d X光电子能谱(XPS)存在分裂(出现肩峰)的现象有很多不同的解释.Kohiki等认为主峰和肩峰分别代表晶格Ba~(2 )离子和金属Ba;Han等则认为它们分别代表Ba~(2 )离子和更高价态的Ba离子;Ji等提出超导体中存在Ba~(2 )和Ba~((2-δ) )两种离子;唐有祺等报道超导体存在体相钡、表面BaCO_3的钡和绝缘相中的钡,它们的Ba 3d_(5/2)结合能分别为777.8,779。7和781.5eV;Fjellvag等也观察到Ba3d谱中出     

三维编织C/SiC纤维复合块材的XPS研究

用常规XPS、小面积XPS和成象XPS研究了三维编织的C/SiC纤维复合材料.结果表明,在燃气中灼烧后材料表面生成的暗红色反应是由于层中的SiC已氧化成氧化硅,同时反应层中还引入了杂质Fe、Na、Ca和Al;在反应层下Si以元素Si、SiC和氧化硅多种形式存在.块材横截面的多点小面积XPS分析结果表明,元素硅的相对浓度随深度增加而减少, SiC的相对浓度则随深度增加而增加.块材横截面的成象XPS分析清楚地显示了SiC 在纤维束边界间呈大致均匀的分布,在块材两边元素Si的浓度明显偏高.根据XPS象的线性扫描结果估计了纤维束、束间SiC层和块材边缘元素Si富集层的厚度.