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1.
电化学方法制备铜钴钠米多层膜   总被引:1,自引:1,他引:0  
薛江云  吴继勋 《电化学》1996,2(3):274-284
要用旋转圆盘电极,双脉冲电位法从单一的含有铜离子和钴离子的镀液中电沉积Cu-Co纳米多层膜,并用TEM.AES和X-射线衍射研究镀层的形貌和组成。结果表明:多层膜结构为纯铜和含有少量铜的铜钴合金层交替组成。铜在钴层中的含量,随着液中的铜含量的增大和转速的提高而提高。  相似文献   
2.
电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
薛江云  吴继勋 《电化学》1997,3(4):401-407
采用动电位扫描,循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴米多层膜的电沉积机理,结果表明:在所研究的体系中,铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程,而钴的沉积是首先形成Co(OH)ads的吸附中间产物,而后在电极上进一步还原为原子态,基于研究结果,提出了铜钴沉积的机制。  相似文献   
3.
电化学方法制备铜钴纳米多层膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用旋转圆盘电极、双脉冲电位法从单一的含有铜离子和钴离子的镀液中电沉积Cu-Co纳米多层膜、并用TEM.AES和X-射线衍射研究镀层的形貌和组成。结果表明:多层膜结构为纯铜和含有少量铜的铜钴合金层交替组成,铜在钴层中的含量,随镀液中的铜含量的增大和转速的提高而提高。  相似文献   
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