聚酞菁锗氧烷的电子辐照损伤及高分辨电子显微学研究

利用选区电子衍射观察了聚酞菁锗氧烷晶体的电子辐照损伤规律,结果表明,各晶面损伤次序既与所对应衍射班点的衍射级数有关,又与晶面间距有关。同时用选区电子衍射测量该聚合物晶体的耐电子辐照能力,对比不同加速电压对耐电子辐照能力的影响,讨论了获取晶面间距小于1nm的晶面的晶格像的可能性。最后利用高分辨电子显微技术拍摄了该聚合物的间距为0.66nm的晶格像和二维晶格像。     

聚对苯二甲酰对苯二胺草席晶形态的细微结构

本文采用溶剂腐蚀技术和电子显微镜法研究了聚对苯二甲酰对苯二胺(PPTA)草席晶形态的细微结构,发现了PPTA草席晶的真实形态结构系为沿剪切应力方向平行取向排列,并周期性地弯曲成锯齿状的微纤结构。其锯齿周期的大小平均约为1微米左右,正好与在偏光显微镜正交偏振片下所观察到的草席晶形态中一条晶带宽度的尺寸相当,因此可以认为在偏光显微镜下所看到的草席晶图像只不过是这种锯齿状微纤规则弯曲所形成周期性结构的一种光学效应而已。同时也直接观察到单个分离的微纤,它是由于液晶态溶液微区结构中取向的刚性链分子在剪切应力作用下产生滑移而形成的。     

聚对苯甲酰胺液晶态球晶生长机理

本文用热台偏光显微镜和透射电子显微镜研究了聚对苯甲酰胺(PBA)/H_2SO_4液晶态生长球晶的形态结构和结晶机理。结果表明,PBA/H_2SO_4向列型液晶相具有过冷状态,可达30—40℃左右,并可生长球晶结构,一般直径可达5毫米左右。20Wt％溶液在不同的过冷态结晶时,可以生成三种形态的球晶结构,这是由于构成球晶的基本结构单元——有序微区结构在不同过冷条件下堆砌排列的规整程度不同的缘故。球晶的形态结构只与过冷程度有关,而与溶液的浓度无关。同时还研究了变温和剪切应力下结晶的球晶形态。     

片晶装饰技术研究高分子液晶向列相的向错

采用片晶装饰技术和四氧化钉染色技术相结合在透射电镜下研究了热致性高分子液晶的向错结构，在一种热致性聚芳酯的冻结液晶态中观察到了向错强度分别为Ｓ＝±１／２和Ｓ＝±１的两类共六种的向错形态，以及每个向错与其相邻向错之间相互联结和相互作用的状态．