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钯合金膜分离氢同位素是基于氕、氘、氚在钯中的溶解度、扩散系数和表面反应动力学特征的差异而进行的。与目前聚变堆燃料循环中广泛采用的低温精馏方法相比,钯合金膜分离方法的原料是气态,而且在分离过程中氢同位素气体以原子形态存在,具有原料滞留量小,装置设计简单等优点。然而对于钯合金膜来说,单位面积上透过的气体体积有限,在保持钯合金膜氢同位素选择性透过能力的前提下,在一定反应器规模下尽可能的增大钯合金膜的面积,从而提高钯合金膜分离氢同位素的能力就成了钯合金膜大规模应用时要解决的首要问题。在前期实验工作的基础上设计了钯合金膜分离器,但是单级分离器的氢同位素分离能力是有限的。为实现H2/T2混合气体的完全分离,可以将多级钯合金膜分离器以一定方式串接起来,构成一个具有连续分离特性的氢同位素分离系统。 相似文献
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锆氢化反应热力学函数的计算 总被引:21,自引:0,他引:21
用B3LYP/SDD密度泛函方法计算了ZrH的微观性质,气态ZrH(D,T)的能量(E),熵(S)以及 Zr与氢同位素气体反应的热力学函数.在ZrH(s)、ZrD(s)和ZrT(s)的E和S的计算中,近似以分 子总能量中的振动能Ev代替固态能量,以电子和振动熵SEv代替固态熵.在这种近似下,计算了 不同温度下Zr与H2、D2、T2反应的ΔH、ΔG、ΔS及氢化反应平衡压力,导出了与温度 的依赖关系.计算结果表明,ZrH(s)的生成热为161.34 kJ穖ol-1,与实验值(173.5 kJ穖ol -1)接近,表明这种近似处理方法是合理的,可以用于研究贮氢材料氢化反应的热力学. 相似文献
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测定了LaNi5-xAlx(x=0.0、0.1、0.2、0.3)的氘化与去 氘化热力学参数,评价了LaNi5-xAlx中铝含量对氘化与去氘化热力学函 数的影响。研究结果表明,合金的坪台压力和吸氘容量随x的增加而降低;坪率随x 的增加而增加;热力学焓变与熵变随x的增加而减少;滞后系数Hf随x的增加而减少 。 相似文献
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The equilibrium structures and the electronic, spectroscopic and thermodynamic properties of small Pun (n=2-5) molecules are systematically investigated using the methods of general gradient approximation (GGA) of density functional theory (DFT). The results show that the bond length of the lowest-energy structure of Pu2 is 2.578 AA. The ground state structure of Pu3 is a triangle with D3h symmetry, whereas for Pu4, the ground state structure is a square (D4h) and the spin polarization of 16 for molecule Pu5 with square geometry (D4h) is the most stable structure. For the ground state structures, the vibrational spectra as well as thermodynamic parameters are worked out. In addition, the values for the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) along with the energy gap of all the Pu2-5 structures are presented. The relevant structural and chemical stabilities are predicted. 相似文献
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碳化硅陶瓷具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热膨胀系数小、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,已经在很多领域获得应用。文中探索采用超高压烧结工艺烧结低Al2O3助剂添加量(质量分数O%-7%)的纳米SiC粉末,研究了烧结体的物相组成、化学成分、显微结构及显微硬度等。 相似文献
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在QCISD/6311 (3df,3pd)水平上,优化出AlH2(X2A1)分子稳定构型为C2v,其平衡核间距Re=1.592、∠HAlH=118.68°,同时也计算出振动频率。在此基础上,根据微观可逆性原则,正确地判断了离解极限。使用多体项展式理论方法,导出了基态AlH2分子的分析势能函数,该势能表面准确地再现了AlH2(C2v)平衡结构,然后根据势能函数等值图讨论了H AlH反应和Al H2反应的势能面静态特征。结果表明在H AlH及Al H2两个通道上均存在鞍点,垒高前者为0.61eV,后者为3.28eV。 相似文献