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纯铁的光谱发射率受温度的影响很大,尤其是在大气环境中,由于温度升高加剧了表面的氧化,导致其光谱发射率发生了“无规律”变化。基于基尔霍夫定理,利用研制的反射法光谱发射率测量装置对纯铁1.55μm波长的光谱发射率进行了系统的研究,探讨了温度、加热时间等因素对纯铁光谱发射率的影响。研究结果表明:纯铁的光谱发射率随着温度的升高而增大,并且在一定的温度下出现了峰值和谷值,通过分析有氧化层时金属的发射率模型,解释了这种现象的发生。恒温长时间测量结果表明,在不同的温度下,加热时间对光谱发射率的影响不同。研究结果将进一步丰富纯铁的光谱发射率数据,并为其光谱发射率在大气环境中的应用提供了实验依据。 相似文献
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利用位错光栅实现中空光束 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了螺旋波的特性,利用计算机模拟螺旋波与平面波干涉仪形成的光学位错图案制成光栅,利用不同阶次的位错光栅得到不同暗斑尺寸的中空光束。 相似文献
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光谱发射率是一个重要的热物性参数,在辐射测温、热传输计算等领域有着广泛的应用。钨作为一种重要的金属,关于其光谱发射率的研究报道较少。利用黑体炉、傅里叶红外光谱仪、加热装置和光学系统搭建了一套能量对比法光谱发射率测量装置,该装置能够测量3~20μm的光谱发射率,测量装置的整体不确定度优于5%。利用该装置测量了纯钨在4个温度点(573, 673, 773和873 K)的法向光谱发射率,重点探讨了氧化、温度、波长和加热时间对纯钨光谱发射率的影响。研究结果表明:纯钨在表面未氧化的情况下,光谱发射率在几个温度点的变化规律基本一致,且数值相差较小,而当其表面发生氧化后光谱发射率迅速增加,在某些波长处出现了强烈的振荡。表面未氧化时纯钨的光谱发射率受温度的影响较小,随着温度的增加仅出现微小的增加,但是当表面发生氧化后,随温度的升高而迅速增大。纯钨的光谱发射率整体上随着波长的增加而减小,但是当表面发生氧化后,由于表面氧化膜与钨金属基底发生干涉效应,在4, 9, 12.5和16.5μm处均出现了峰值。在573和673 K,纯钨的光谱发射率随着加热时间的增加无明显变化。然而,随着温度的升高,在773和873 K时,光谱发射率随着加热时间增加而增大,在773 K时光谱发射率随加热时间的增加增幅较大,因为在该温度点,纯钨表面刚开始发生氧化,氧化速率较大,在873 K时光谱发射率随加热时间的增加增幅较为平缓,并且随着加热时间的增长呈现稳定的趋势。综上,纯钨的光谱发射率在温度较低和表面未氧化时较为稳定。随着温度的升高,当表面发生氧化后,光谱发射率迅速增大,并且在多个波长位置出现了强烈的振荡。由此可见,纯钨光谱发射率受温度、波长、加热时间的影响较大,在实际应用过程中,特别是在辐射测温过程中,如果把纯钨的光谱发射率看做常数将会带来较大的测量误差。该研究将进一步丰富钨的光谱发射率数据,并为其在科学研究和应用中提供数据支持。 相似文献
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用溶剂热法合成了有机杂化层状锑硫化合物[C3H7NH3]2Sb4S7,并利用单晶X-射线衍射测定了其晶体结构。该化合物为三斜晶系,Pī空间群。晶胞参数:a=7.0098(10),b=11.9710(14),c=13.6685(17),α=115.244(6)°,β=98.671(9)°,γ=92.413(13),°V=1018.3(2)3,Z=2,Mr=831.71 g.mol-1,(=5.984 mm-1,F(000)=772,偏差因子R1=0.0334,wR2=0.0766。该化合物由质子化正丙胺离子[C3H7NH3] 和二维阴离子[Sb4S7]n2n-组成,[Sb4S7]n2n-二维离子由3个SbS3三角锥和1个SbS4变形四面体单元连接而成,[C3H7NH3] 离子位于无机阴离子层之间,形成三明治夹心式结构,[C3H7NH3] 的-NH3 基团与无机阴离子层的S原子形成N-H…S氢键作用。 相似文献
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TiO2中孔分子筛的合成与X射线衍射分析 总被引:5,自引:0,他引:5
利用X射线粉末衍射(XRPD)对以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为阳离子模板剂合成的中孔TiO2分子筛进行表征;XRPD研究表明分子筛的结构受到Ti与CTAB的物质的量之比和陈化时间的影响;当Ti与CTAB的物质的量之比为3,陈化时间为12h,可以形成孔径为4.5nm的六角相中孔结构;有机-无机片段自组装过程显示TiO2中孔分子筛的合成按照协同作用机理(CFM)进行;后处理研究表明300℃烧结导致分子筛孔径分布变宽,孔径变大,进一步提高烧结温度将完全破坏中孔结构;而以溶剂萃取法处理样品不能保持中孔结构。 相似文献
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采用水热沉淀法制备了La0.9M0.1Ga0.8 Mg0.2O3-a(M=Ca2+,Sr2+,Ba2+)陶瓷样品的前驱体,沉淀剂来自尿素在水热条件下的水解产物.前驱体经煅烧和烧结后得到陶瓷样品.XRD显示样品具有单一的斜方晶LaGaO3钙钛矿结构.同位素效应和氢的电化学透过(氢泵)实验证明陶瓷样品具有质子导电性.用AC阻抗谱法测定了样品在300~600℃、氢气气氛中的质子电导率,其人小取决于La位掺杂的碱土金属离子:σ(M=Sr2+)>σ(M=Ba2+)>σ(M=Ca2+).以La0.9M0.1Ga0.8Mg0.2O3-a为固体电解质进行了常压合成氨,最佳合成温度为520℃.当施加的电流密度为1mA-cm-2、合成温度为520℃时,氨产率分别为:1.63X 10-9 mol·s-1cm-2(M=Ca2+),2.53X 10-9 mol·s-1·cm-2(M=Sr2+)和2.04X10-9mol·s-1,cm-2(M=Ba2+). 相似文献