High sensitivity Hall devices with AlSb/InAs quantum well structures

AlSb/InAs quantum well (QW) structures and InAs films on GaAs (001) substrates were grown by molecular beam epitaxy (MBE). We investigated the dependence of electron mobility and two-dimensional electron gas (2DEG) concentration on the thickness of an InAs channel. It is found that electron mobility as high as 19050 cm2·V-1·s-1 has been achieved for an InAs channel of 22.5 nm. The Hall devices with high sensitivity and good temperature stability were fabricated based on the AlSb/InAs QW structures. Their sensitivity is markedly superior to Hall devices of InAs films.     

TiO2光催化剂在COD测定中的应用研究

采用溶胶一凝胶法制备纳米TiO2薄膜电极,提出了一种简便、快速测量化学需氧量(COD)的方法.分别以葡萄糖、邻苯二甲酸氢钾(KHP)为COD检测的标准物,考察了TiO2薄膜的光催化行为,并与传统方法进行比较.实验结果表明,葡萄糖对紫外光几乎没有吸收,在葡萄糖的电解质溶液中,COD与光电流有很好的一元二次关系;KHP对紫外光有吸收,在KHP的电解质溶液中,当COD浓度大于50mg/L时,随着COD浓度的增加,光电流降低.引入了单位光强度引起的电流响应(E)这一变量,该传感器的单位光强度引起的电流响应E与COD值在15.0-300mg/L范围内有很好的一元二次关系,相关系数为0.9999,并且不同样品在薄膜电极上的E呈现很好的线性关系.该传感器对水样的测量结果与传统方法测量结果相吻合.     

多孔BiFeO3薄膜的光伏效应研究

采用溶胶-凝胶法,在不同退火温度下在FTO/玻璃衬底上制备了多孔 BiFeO3薄膜并对薄膜的光伏特性进行了研究.结果表明,在450 ～600℃退火的薄膜,均呈高度(100)择优取向;所有薄膜均为多孔薄膜,450℃、500℃、550℃和600℃退火的薄膜的孔径大小分别为2 μm,2μm,6 μm和lμm.孔隙的出现与加入乙醇胺的量直接相关,同时能够增强对光的吸收.450℃、500℃、550℃和600℃退火的薄膜的光学带隙分别为2.31 eV,2.50 eV,2.51 eV,和2.62 eV,所有光学带隙显著低于通常报道的结果.450℃与500℃退火的BiFeO3薄膜具有较强的光电导效应,而600℃退火的BiFeO3薄膜具有较强的体光伏效应.BiFeO3薄膜中的体光伏效应来自铁电极化产生的内建电场.     

直、交流法对比研究互感现象

为了正确分析互感现象,引入了同名端的概念,分别用直、交法测定同名端。