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制备了基于三(8-羟基喹啉)铝(tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (III), Alq3) 的有机发光二极管, 并在不同偏压下测量了器件的室温磁电导效应.在小偏压下, 发光器件展示出明显的负磁电导效应.偏压增加后, 磁电导由负值变为正值, 出现了正负转变的现象. N, N'-二苯基-N, N'-(1-萘基)-1, 1'-联苯-4, 4'-二胺(N, N′-Di(naphthalen-1-yl)-N, N′ diphenyl-benzidine, NPB) 与铜酞菁 (Copper phthalocyanine, CuPc) 单极器件磁电导的测量结果表明, 发光器件在小偏压下的负磁电导效应来源于器件中的CuPc层. 双极电流的磁电导效应可用电子-空穴对模型进行解释, 而单极电流的磁电导效应可归因于器件中的极化子-双极化子转变. 在注入电流的变化过程中, 发光器件的正负磁电导转变是两种机理共同作用的结果. 相似文献
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制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/LiF/Al的常规有机发光二极管, 之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子, 并在小偏压下(保证器件没有开启)对激子的演化过程进行控制, 同时测量器件的光致磁电导(photo-induced magneto-conductance, PIMC). 实验发现, 不同于电注入产生激子的磁电导效应, PIMC在正、反小偏压下表现出明显不同的磁响应结果. 当给器件加上正向小偏压时, 器件的PIMC在0-40 mT范围内迅速上升; 随着磁场的进一步增大, 该PIMC增加缓慢, 并逐渐趋于饱和. 反向小偏压时, 器件的PIMC随着磁场也是先迅速增大(0-40 mT), 但达到最大值后却又逐渐减小. 通过分析外加磁场对器件光生载流子微观过程的影响, 采用'电子-空穴对'模型和超精细相互作用理论对正向偏压下的PIMC进行了解释; 反向偏压下因各有机层的能级关系, 为激子与电荷相互作用提供了必要条件, 运用三重态激子与电荷的反应机制可以解释PIMC出现高场下降的实验现象. 相似文献
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