钼网衬底上大面积硅纳米线的制备及其光催化性能研究

硅纳米材料广泛应用于光功能导向的各个领域,发展针对光功能应用及一维硅纳米结构的规模化可控制备方法,实现硅纳米结构的宏量制备,将为硅纳米结构的应用提供材料保障。本文采用简单的化学气相沉积法成功地在Mo网衬底上制备了大面积的硅纳米线(SiNWs),并通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线粉末衍射仪、拉曼光谱仪,对制备的SiNWs进行了详细的研究。通过在低功率紫外光照射下SiNWs对罗丹明B和甲基蓝的光降解能力的研究,发现在Mo网衬底上生长的SiNWs对于有机染料具有很好的降解能力。     

SnS2纳米片的制备及其器件应用进展

二维半导体是一种新兴的具有石墨烯类似结构的电子材料,拥有优异的电学、光学、磁学、力学等性能,可应用于不同的技术领域,因而成为当今材料科学研究领域的热点之一。在众多的二维半导体材料之中,二硫化锡(SnS₂)是一种对环境友好的电子材料,由自然界含量丰富的硫元素和锡元素组成。它在微电子学、太阳能电池、光催化等诸多方面均展现出巨大的应用潜力,受到了广泛的关注。本文主要介绍了近期气相沉积法制备SnS₂纳米片及其在电子学与光电子学领域中的应用进展。     

范德华外延生长硫化镉二维纳米片及其光致发光性能研究

二维纳米材料具有独特的结构和优异的性能,在电子学及光电子学领域有广泛的应用前景,但关于硫化镉二维纳米材料的制备及性能研究还鲜有报道。本文首次采用范德华外延生长技术,在氟金云母片衬底上制备了硫化镉二维纳米片。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线粉末衍射仪和拉曼光谱仪等分析手段对产物的形貌、厚度、晶体结构、成分等进行了系统的研究。结果表明,纳米片具有六方纤锌矿晶体结构,尺寸约为几个微米,厚度约为几十纳米。范德华外延生长技术在硫化镉二维单晶纳米片制备上的成功应用,为其它二维非层状材料的制备提供了新的思路,并使其在高性能电子和光电子器件上的应用成为了可能。