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采用辉光放电质谱法(GD-MS)测定太阳能级多晶硅中B,P,Fe,Co,Ni,Cu,Zn等痕量杂质元素,并优化和选择了GD-MS工作参数。考察了在半定量分析的情况下,GD-MS测定痕量杂质的精密度。结果表明,GD-MS对B,P,Na,Al,K,Ca,Fe,Ni,Cu,Co,Zn等元素测定结果的RSD都小于30%。用ICP-MS法进行验证,检出限0.14~2.85 ng/mL,RSD为1.6%~12%,加标回收率85.2%~125%。 相似文献
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