首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   25篇
  免费   15篇
  国内免费   4篇
化学   12篇
力学   2篇
物理学   30篇
  2024年   1篇
  2022年   2篇
  2021年   3篇
  2020年   6篇
  2017年   2篇
  2014年   2篇
  2013年   5篇
  2012年   2篇
  2011年   11篇
  2010年   2篇
  2009年   6篇
  2008年   1篇
  2003年   1篇
排序方式: 共有44条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
研究了烟火药激光器泵浦源传统配方Zr/KClO4中Zr粉粒径对该配方燃烧特性的影响。结果表明:Zr粉从61.375 μm减小到18.675 μm,Zr/KClO4混合物的点火温度从506.40 ℃降低到492.42 ℃,燃烧辐射脉宽由60 ms缩短到25 ms,峰值辐射强度增加1倍;在 200~1 100 nm波段内,随着Zr粉粒径的减小,可见光区内的辐射能所占的比例增强;针对掺钕激光介质的泵浦而言,Zr粉粒径为800目时,分布在激光介质的3个主要泵浦带内的辐射能最高,而且闪光脉宽最短。因此,在其它条件相同时,选择颗粒尺寸小的Zr粉有利于获得高的激光输出。  相似文献   
2.
The strong anisotropy beryllium (Be) films are fabricated at different sputtering pressures by direct current magnetron sputtering. With the increase of pressure, the deposition rate of Be film first increases, and when the pressure exceeds 0.8 Pa, it gradually descends. The X-ray diffraction analysis indicates that Be film is of α-Be phase, its surface always reveals the (101) crystal plane possessing the low surface energy. As for the growth morphology of Be film, the surface is mainly characterized by the fibrous grains, while the cross section shows a transition from a columnar grain to a mixed grain consisting of a cone-shaped grain and a columnar grain as the sputtering pressure increases. The large grain fraction decays exponentially from 75.0% to 59.3% with the increase of sputtering pressure p, which can improve the grain size uniformity. The surface roughness increases due to the insufficient atom diffusion, which is comparable to its decrease due to the etching effect at p 〈 0.8 Pa, while it increases drastically at p 〉 0.8 Pa, and this increase is dominated by the atom diffusion. The electrical resistivity values of Be films range from 1.7 μΩ m to 2.7 μΩ m in the range 0.4 Pa-1.2 Pa, which is 50 times larger than the bulk resistivity.  相似文献   
3.
 采用电弧熔炼制备出前驱体Mn-Cu合金,在稀盐酸溶液中自由腐蚀去合金化,制备出具有双连续结构的纳米多孔铜。研究了前驱体合金的成分对纳米多孔铜微观结构及Mn的选择性腐蚀程度的影响。结果表明:前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为43%时,其去合金化受到抑制,存在明显的未完全去合金化的岛状结构;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为32%~23%时,可完全去合金化,形成平均孔径尺寸为20~100 nm,平均系带尺寸为30~80 nm,具有双连续结构的纳米多孔铜;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数低至20%时,去合金化后存在大量裂纹,形成纳米颗粒聚集体。纳米多孔铜中存在少量的残余Mn,残余Mn的原子分数随着前驱体合金Mn原子分数的增高而降低。实验表明腐蚀液浓度对纳米多孔铜形貌也存在影响。  相似文献   
4.
以改性聚苯乙烯微球为模板,采用化学镀法在聚苯乙烯微球表面包覆一层银,在四氢呋喃溶液中将聚苯乙烯微球溶解,得到中空Ag纳米球壳。采用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪对样品进行了表征及分析,并用紫外可见分光光度计研究了粒子的光学性质。实验结果表明:运用此法成功地制备出中空Ag纳米球壳的内径为250 nm,壁厚约为15 nm,并且成功地使纳米粒子的紫外吸收光谱由600 nm红移至900 nm左右,实现了在可见光至近红外光区调节Ag纳米结构的吸收峰。  相似文献   
5.
汪婷  张宗培  何占航  李恺 《大学化学》2020,35(8):129-134
无机化学教学中,一元酸碱溶液pH的定量计算是一个非常重要的基本问题。其中涉及的近似计算条件将pH的定性描述与定量计算相关联,准确理解这些近似条件的推导过程和应用范围,对学生从源头上掌握溶液中离子平衡问题的处理方法具有十分重要的意义。然而,在酸碱浓度极低、酸碱极弱的情况下,如何正确利用近似条件进行计算往往不易掌握。甚至是一些教科书中,也存在概念描述不准确、与后续课程不一致等问题。针对以上问题,本文从一元酸碱溶液pH计算近似条件的推导入手,结合相关例题,探讨无机化学课程教学中关于一元酸碱溶液pH的定量计算中应当注意的问题。  相似文献   
6.
ICF靶用泡沫铜的制备与表征   总被引:2,自引:1,他引:1  
 以次磷酸钠为还原剂的化学镀进行导电化处理,研究了ICF靶用泡沫铜的电沉积工艺。采用扫描电子显微境和X射线衍射仪对制备过程中各阶段泡沫铜的微观结构进行了表征。结果表明:经化学镀后可获得晶粒尺寸小、分布均匀的铜沉积层。电沉积后铜沉积层主要由0.55 μm的小颗粒组成,并且出现突出大颗粒的形貌特征。在氢气氛围下,经700 ℃热处理后,铜颗粒进一步长大,沉积层结晶致密。制备的泡沫铜呈3维网络状结构,分布均匀,密度为0.19 g/cm3,孔径分布为400~600 μm,孔隙率达97.9%。  相似文献   
7.
将平均晶粒尺寸为4.6 nm的金粒子通过静电作用粘附于聚苯乙烯(PS)微球表面用于化学镀,化学镀金后PS表面的金沉积层几乎达到完全包覆,厚度70~90 nm;在Au/PS表面进行化学镀银,沉积的银颗粒堆积紧密,颗粒大小较先前沉积的金颗粒大,镀覆层厚度增厚至200~400 nm;模板去除后,获得了完全自支撑的Au40Ag60空心微球结构的圆柱状泡沫材料。制备的金银合金泡沫由直径约10 m的空心球壳组成,圆柱体直径约5 mm,密度约1.2 g/cm3。  相似文献   
8.
中空Ag纳米球壳的制备及性能表征   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
 以改性聚苯乙烯微球为模板,采用化学镀法在聚苯乙烯微球表面包覆一层银,在四氢呋喃溶液中将聚苯乙烯微球溶解,得到中空Ag纳米球壳。采用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪对样品进行了表征及分析,并用紫外可见分光光度计研究了粒子的光学性质。实验结果表明:运用此法成功地制备出中空Ag纳米球壳的内径为250 nm,壁厚约为15 nm,并且成功地使纳米粒子的紫外吸收光谱由600 nm红移至900 nm左右,实现了在可见光至近红外光区调节Ag纳米结构的吸收峰。  相似文献   
9.
李媛媛  何娟  李恺 《大学化学》2020,35(5):61-65
2020新年伊始,新冠肺炎突然来袭,为了防止聚集性感染,教育部提出了"停课不停教、停课不停学"的要求。地方普通高校学生的自律性、自觉性及能动性差别十分明显,这样的学情对如何有效开展化学专业的线上教学工作提出了更大的挑战。本文以材料化学课程线上教学为例,介绍地方普通高校化学专业线上教学工作的开展情况。针对教学过程中遇到的各种问题和采用的应对方案,探讨线上教学过程中的注意事项。希望本文能为地方普通高校化学专业线上教学工作提供有益的参考。  相似文献   
10.
振幅控制是半球谐振陀螺正常工作的基础,同时振幅控制的稳定性也直接影响陀螺的性能指标.针对半球谐振陀螺振幅控制问题开展研究.首先,推导了驱动力与陀螺振动幅度的传递函数,建立了振幅控制的被控对象模型;其次,提出了一种半球谐振陀螺的起振方法;然后根据已有研究设计了一种半球谐振陀螺振幅控制回路方案,并推导出振幅控制回路的闭环传...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号