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运用伏安法研究了吲哚美辛在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为.在0.1 mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH 4.5)中,吲哚美辛于0.91 V (vs.SCE)电位处有一个峰形很好的氧化峰.与裸玻碳电极相比,吲哚美辛在修饰电极上的电位正移了约30 mV,峰电流增加了近10倍,表明该修饰电极对吲哚美辛有较强的电催化作用.搅拌条件下开路富集2 min,氧化峰电流与吲哚美辛在5.5×10-7~1.1×10-5 mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检出限为1.1×10-7 mol/L.该方法可用于药剂中吲哚美辛的分析. 相似文献
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平板显示是显示技术发展的方向,发光材料的薄膜化是显示技术发展的重要研究对象.本研究采用电沉积-烧结方法制备出了氧化钇铕红色荧光薄膜.在0.1 mol/L硝酸钇溶液中加入4%(摩尔分数)0.1 mol/L硝酸铕掺杂,用三电极体系进行阴极电沉积,工作电极的电位为-1.2 V(相对于Ag/AgCl电极),温度65℃,沉积时间为400 s,500℃灼烧2 h,制备出的发光薄膜与高温固相法制备的薄膜对比,其发射光谱的峰位相同.XRD检测显示经不同温度灼烧后,随温度的升高,氧化钇晶相逐渐完整.经SEM扫描,薄膜沉积均匀平整. 相似文献
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以无机盐为水解原料,用溶胶 凝胶法制备了透明、稳定的前驱液,加入适量的成膜物质聚乙烯醇后,用浸渍拉提法在石英玻璃表面得到均匀的溶胶膜,经过室温干燥和低温处理的薄膜再于一定的温度下烧结,得到了红光发射掺铕的氧化钇薄膜.通过X射线衍射对膜的结构进行表征,表明在600℃时就开始了晶化,在900℃时形成单相Y2O3晶体.激发光谱和发射光谱显示,在220nm和260nm之间有很宽的激发峰,最强峰在236nm处,而发射主峰在614nm处,是一种很好的红光发射薄膜材料. 相似文献
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利用C1s、O1s、N1s近边X射线吸收精细结构(Near Edge X-Ray Absorption Fine Structure,NEXAFS)光谱对聚合物修饰的碳纳米管进行了分析,研究了氧化及偶联聚合物对碳纳米管结构的影响。氧化碳纳米管及十八胺修饰的、聚合物/十八胺双修饰的碳纳米管的NEXAFS光谱均出现了碳/氧K边π*(C=O)和σ*(C-O)共振峰;而十八胺修饰的、聚合物/十八胺双修饰的碳纳米管则出现了氮K边π*(N-C=O)和σ*(N1s)共振峰。分析表明,NEXAFS光谱可有效表征聚合物修饰的碳纳米管。 相似文献
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本文综述了各种形貌的纳米Co3O4的制备及其应用。制备纳米Co3O4的方法有很多,包括热分解、水热法、溶剂热法、化学喷雾热分解、化学气相沉积和溶胶-凝胶法。各种形貌的Co3O4被制备,如纳米球、纳米立方体、纳米管、纳米棒、纳米片、纳米纤维和介孔结构。Co3O4是一种重要的磁性P-型半导体,在锂离子电池、超级电容器、电致变色、磁性材料、气体传感器和催化剂等诸多领域有比较广泛的应用。 相似文献
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