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氨基乙硫醇修饰金电极直接测定芦丁含量的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用分子自组装技术制备氨基乙硫醇修饰金电极,并采用脉冲伏安法直接测定芦丁的含量。以pH7.0的乙醇和磷酸盐混合缓冲溶液作底液,芦丁在氨基乙硫醇修饰金电极上于0.19 V(vs.SCE)处呈现一灵敏的氧化电流峰,峰电流和芦丁的浓度在8.0~2.5×102μmol/L范围内呈良好的线性关系。由于抗坏血酸在氨基乙硫醇修饰金电极上的氧化电位出现显著负移,因此,可避免抗坏血酸对芦丁检测的干扰。本方法可以不经预分离直接检测药物中芦丁含量。 相似文献
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对沱江流域金堂、简阳、内江三地河流沉积物中重金属Pb和Cd含量及其时空分布特征进行了研究,并结合与沉积物中Fe、Mn和LOI等参数的相关性对河流沉积物中Pb和Cd地球化学性质进行了初步的分析和讨论。结果表明,沱江三地沉积物中Cd、Pb含量不高,平均含量按上、中、下游次序逐渐降低;从垂向分布行为看,Cd在上游金堂地区上部含量高于下部,而中、下游两地则相反,而Pb均随着深度的增加而减少,反映了近年来人类活动所产生Pb污染的加剧;TOC、沉积物性状和上覆水体中的物化性质对于其垂向分布有着较大影响。对于深入揭示水环境中重金属的环境地球化学循环有着重要的指导意义。 相似文献
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本研究采用紫外光离子源-高场不对称波形离子迁移谱(UV-FAIMS)快速检测环境中挥发性有机物.选取苯和对二甲苯为研究对象,并分析了分离电压、流速等因素对其分离识别的影响.实验结果表明:当分离电压值为0~1200 V时,苯和对二甲苯信号强度逐渐降低,而特征补偿电压值却逐渐增加.实验选取分离电压值为900 V,当载气流速为0~240 L/h时,苯和对二甲苯的特征离子峰信号强度逐渐增加,当载气流速为0~120 L/h时,苯和对二甲苯团簇峰信号强度增加,当载气流速为120~240 L/h时,苯的团簇峰信号强度增加,而对二甲苯的团簇峰信号强度降低.此外,对样品浓度、信号强度与噪声的比值进行探讨,获得UV-FAIMS检测苯的检测限为0.011mg/m3. 相似文献
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题目(2013江西高考文-20)椭圆C:x2/a2+y2/b2=1(a>b>0)的离心率e=√3/2,a+b=3.
(1)求椭圆C的方程;
(2)如图1,A,B,D是椭圆C的顶点,P是椭圆C上除顶点外的任意一点,直线DP交x轴于点N,直线AD交BP于点M,设BP的斜率为k,MN的斜率为m,证明:2m-k为定值. 相似文献
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美国AP考试作为大学录取的重要标准之一,与我国高考的地位类似。通过对2种化学考试的课程导向、考生群体、考试范围、考试方式、评价方式和考查能力6个方面的比较,从中得到了重视化学学科性、考试实施方式和考试评价方式等方面的一些启示。 相似文献
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A novel lateral double-diffused metal–oxide semiconductor (LDMOS) with a high breakdown voltage (BV) and low specific on-resistance (Ron.sp) is proposed and investigated by simulation. It features a junction field plate (JFP) over the drift region and a partial N-buried layer (PNB) in the P-substrate. The JFP not only smoothes the surface electric field (E-field), but also brings in charge compensation between the JFP and the N-drift region, which increases the doping concentration of the N-drift region. The PNB reshapes the equipotential contours, and thus reduces the E-field peak on the drain side and increases that on the source side. Moreover, the PNB extends the depletion width in the substrate by introducing an additional vertical diode, resulting in a significant improvement on the vertical BV. Compared with the conventional LDMOS with the same dimensional parameters, the novel LDMOS has an increase in BV value by 67.4%, and a reduction in Ron.sp by 45.7% simultaneously. 相似文献
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