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The symmetric Ti/Au bi-layer point electrodes have been successfully patterned on theβ-Ga;O;films which are prepared by metal–organic chemical vapor deposition(MOCVD)and theγ-Cu I films which are prepared by spin-coating.The fabricated heterojunction has a large open circuit voltage(Voc)of 0.69 V,desired for achieving self-powered operation of a photodetector.Irradiated by 254-nm ultraviolet(UV)light,when the bias voltage is-5 V,the dark current(Idark)of the device is 0.47 p A,the photocurrent(Iphoto)is-50.93 n A,and the photo-to-dark current ratio(Iphoto/Idark)reaches about 1.08×10;.The device has a stable and fast response speed in different wavelengths,the rise time(τr)and decay time(τd)are 0.762 s and 1.741 s under 254-nm UV light illumination,respectively.While theτr andτd are 10.709 s and7.241 s under 365-nm UV light illumination,respectively.The time-dependent(I–t)response(photocurrent in the order of10-10 A)can be clearly distinguished at a small light intensity of 1μW·cm;.The internal physical mechanism affecting the device performances is discussed by the band diagram and charge carrier transfer theory. 相似文献
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针对传统显微镜采用手工对焦方式存在自动化程度低、对焦过程较慢且对操作者经验要求高的问题,提出一套基于对焦深度法的光学显微镜系统。结合基于图像处理自动对焦的显微镜通用结构,设计了一套由ARM开发板、触控液晶显示屏、Arduino UNO开发板、红外对管、工业数码显微镜及步进电机等组成的光学显微镜系统。结合触控液晶显示屏的特点,设计出结合不同大小的感兴趣区域对焦窗口选择方法,并在采用常见梯度函数作为图像清晰度评价函数及爬山搜索算法的基础上,提出容错改进方法。实验分别对不同的图像清晰度评价函数及对焦窗口大小进行了实时性、灵敏度及容错性能测试。结果表明,该系统具有较高的可靠性。 相似文献
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以氯乙酰氯和对碘苯胺为原料,经酰化合成了4-碘-氯乙酰苯胺,接着与1-甲基咪唑反应得到氯化1-甲基-3-(4-碘苯氨基甲酰甲基)咪唑钅翁,随后在水溶液中发生阴离子交换,合成了1-甲基-3-(4-碘苯氨基甲酰甲基)咪唑四氟硼酸盐;四氟硼酸盐在过氧化氢/三氟乙酸酐体系中氧化得到一种新的离子液体负载的双(三氟乙酰氧基)碘苯试剂1-甲基-3-[4-双(三氟乙酰氧基)碘苯氨基甲酰甲基]咪唑四氟硼酸盐。反应总收率62.3%。试剂没有吸湿性,在空气中长期放置不变质。化学结构用IR、1H NMR、13C NMR、19F NMR和元素分析表征。 相似文献
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A 4×4 metal-semiconductor-metal rectangular deep-ultraviolet detector array of Ga2O3 photoconductor with high photo response 下载免费PDF全文
A 4$times $4 beta-phase gallium oxide ($beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$) deep-ultraviolet (DUV) rectangular 10-fingers interdigital metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector array of high photo responsivity is introduced. The Ga$_{2}$O$_{3}$ thin film is prepared through the metalorganic chemical vapor deposition technique, then used to construct the photodetector array via photolithography, lift-off, and ion beam sputtering methods. The one photodetector cell shows dark current of 1.94 pA, photo-to-dark current ratio of 6$times $10$^{7}$, photo responsivity of 634.15 A$cdot$W$^{-1}$, specific detectivity of 5.93$times $10$^{11}$ cm$cdot$Hz$^{1/2}cdot$W$^{-1}$ (Jones), external quantum efficiency of 310000%, and linear dynamic region of 108.94 dB, indicating high performances for DUV photo detection. Furthermore, the 16-cell photodetector array displays uniform performances with decent deviation of 19.6% for photo responsivity. 相似文献
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为探索明代初期中国琉璃瓦制作工艺技术水平与工艺特点,运用能量色散X射线荧光光谱法(energy disperse X-ray fluorescence, EDXRF),对安徽凤阳明中都及南京明故宫遗址出土69件琉璃瓦样品胎体化学组成进行了测定,同时利用热膨胀仪、吸水率测定仪和偏光显微镜等仪器设备对样品胎体的烧成温度、吸水率、显气孔率、体积密度与显微结构等进行了分析。分析结果显示,明中都样品胎体根据元素化学组成差异可分为高钙高铁、低钙高铁和低钙低铁三种类型,表明该遗址琉璃瓦样品胎体制作原料可能具有不同来源,同时,部分明中都样品的化学组成与南京明故宫样品较为接近,而上述两处遗址样品与北京故宫样品在化学组成上皆具有显著差异。烧成温度、物理性能和显微结构分析结果显示,明中都琉璃瓦瓷质胎体样品的烧成温度较高,达到了1 141 ℃,且吸水率和显气孔率明显较低,达到了瓷胎的标准,而陶质胎体琉璃瓦样品的烧成温度约为880~1 100 ℃,吸水率和显气孔率较大,且不同样品间差异明显,这可能是由于明中都琉璃瓦胎体的来源不同,导致不同样品在烧成温度、吸水率、显气孔率等方面差异较大。与北京、南京二处的琉璃瓦样品相比,明中都样品吸水率及显气孔率稍微高于二处,但三处陶胎琉璃瓦样品胎体的烧成温度基本都在1 100 ℃以下。明中都三种不同类型样品胎体显微结构差异较小,矿物颗粒粒径和孔隙大小相近,其中部分石英晶体具有明显的熔蚀边。此外,明中都和明故宫样品的显微结构特点显示两处遗址样品胎体原料加工皆较为精细,原料淘洗和烧结程度较高,琉璃瓦物理性能较好。对明初洪武时期明中都出土琉璃瓦烧制工艺的研究结果,不仅可为了解我国琉璃瓦工艺发展历程、还可对探索明初琉璃制作工艺和明中都营建的组织形式等提供科学依据。 相似文献
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合成了一个结构新颖的二茂铁基苯甲酸铜的双核簇合物([(p-FcC6H4COO)2Cu(DMF)].2H2O.DMF)2,通过X射线单晶衍射分析、元素分析、IR光谱、UV光谱及循环伏安等手段对标题簇合物的结构和性质进行了测试和表征.在双核簇合物分子中,两个中心铜离子通过羧基桥连在一起,Cu-Cu的距离为0.264 2 nm,每个Cu(Ⅱ)与来自四个不同配体上的羧基氧原子以及一个来自于溶剂DMF的氧原子配位,形成一个涡轮双核簇合物.循环伏安表明,配位键的形成,对配体的氧化还原的性质影响很小. 相似文献
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