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本研究基于量子化学的密度泛函理论(DFT)研究了CO在理想和氧缺陷Cu1/Ce O2(110)表面上的吸附,并且对CO分子在催化剂表面不同位点的吸附特性进行了计算和分析。结果表明,Cu掺杂可以显著提高CO在催化剂表面的吸附性能,顶位是CO最稳定的吸附位,CO在空穴位上的吸附能力很弱。与理想表面相比,线性缺陷的构造可以进一步提高CO在催化剂表面的吸附性能。对吸附构型PDOS的分析表明,大量的轨道杂化是CO在Cu1/Ce O2(110)表面吸附性能较强的原因。 相似文献
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