邻苯二胺在L-酪氨酸功能化的玻碳电极上的聚合及其性能

首先在非水介质中通过电化学氧化将L-酪氨酸以C-N键共价键合在玻碳电极表面,形成L-酪氨酸接枝单层膜.再在L-酪氨酸功能化的玻碳电极上对邻苯二胺进行电化学聚合,从而制备了聚邻苯二胺/L-酪氨酸复合膜修饰玻碳电极(聚-o-PD-Tyr/GCE).研究发现聚-o-PD-Tyr/GCE在pH 6.8的磷酸缓冲溶液(PBS)中对抗坏血酸的电化学氧化具有催化作用,其氧化电位为0.35 V,比在裸玻碳电极上(0.58 V)降低了0.23 V,峰电流也明显升高.抗坏血酸在修饰电极上响应电流与其浓度在2.5×10-4～1.5×10-3mol·L-1范围内呈线性关系,检出限(3s/k)为43.64μmol·L-1.经修饰的电极保存在0.1 mol·L-1PBS中,可至少稳定5d.对5×10-4mol·L-1抗坏血酸溶液连续测定10次,测得此电极的相对标准偏差为3.2%.     

聚(苯胺-co-邻氨基酚)修饰玻碳电极的制备及其对抗坏血酸的电化学氧化

研究了苯胺(AN)与邻氨基酚(OAP)在玻碳电极表面的电化学共聚,由此制备了AN与OAP共聚物膜修饰的玻碳电极(PAN-OAP/GCE/CME),并研究了该电极的电化学行为及其对抗坏血酸(AA)的电催化氧化。研究表明:AN与OAP的共聚速率随溶液中OAP浓度的增大而减小。当OAP与AN的浓度比>1∶10时,聚合行为相似;在其浓度比为1∶10时得到的共聚膜具有较好的电化学活性。由此可在0.1mol/L磷酸缓冲溶液(PBS,pH6.8)中对AA进行电催化氧化。在PAN-OAP/GCE/CME上其氧化峰电位位于0.21V,比在裸玻碳电极上(0.53V)降低了0.32V。该共聚物膜在中性溶液中显示出较好的电化学活性,为生物样本中AA的测定提供了条件。AA在修饰电极上的响应电流与其浓度在0.05~16.5mmol/L范围内呈线性关系,r=0.9998。采用计时电流法对AA催化氧化的扩散系数和催化速率常数进行了研究。