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1.
关于不等式的一点注记 总被引:1,自引:1,他引:0
在广义的H-空间中,建立一类不等式,所得的结果推广并统一了文[1],[2]中的某些结果。 相似文献
2.
定理 设四边形 ABCD的边 AB、BC、CD、DA与对角线 AC、BD的中点分别为 E、F、E′、F′、G、G′,△ BCD、△ CDA、△ DAB、△ ABC的重心分别为 A′、B′、C′、D′,则 AA′、BB′、CC′、DD′、EE′、FF′、GG′七线共点 .证明 如图 1 ,连结EF、FE′、E′ F′、F′ E,图 1则可得 EF ∥=12 AC,F′ E′∥=12 AC.即有 EF∥=F′ E′,故四边形 EFE′ F′是平行四边形 ,于是 EE′、FF′互相平分 .类似地 ,可证明 FF′、GG′互相平分 .故 EE′、FF′、GG′相交于它们的中点 .令 EE′的中点为 I,连结 EC、D… 相似文献
3.
4.
超越数e是自然对数的底,在微积分和复变函数中的地位是众所周知的。下面的事实却少为人知:数e~(-e),e~0,e~(e-1)是函数y=a~x与其反函数y=log_ax交点情况分类的界点。 相似文献
5.
6.
7.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
8.
由于混凝土材料理化特性的差异,高强混凝土的弯压极限应变明显地小于普通混凝土,依据试验结果分析了高强混凝土的弯压极限应变变化规律,并给出了它的计算公式. 相似文献
9.
利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降,而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。 相似文献
10.
题 1 函数y =lg(kx2 -kx +1 )定义域为R ,求k的取值范围 .解 由题意得x∈R时 ,kx2 -kx +1 >0恒成立 ,则 k >0Δ <0 或k =0 ,解得 0≤k <4.题 2 函数y =lg(kx2 -kx +1 )的值域为R ,求k的取值范围 .解 由题意得kx2 -kx +1能取到所有正实数 ,则 k >0Δ≥ 0 ,解得 k≥ 4.对以上两个题理解的难点是两个画横线部分的区别搞不清 ,要知道二者所要求的条件是不同的 ,下面借助二次函数的图像解释一下 .设 :二次函数y =kx2 -kx +1 ,当k >0或k <0抛物线与x轴的位置关系如下 :(1 ) (2 ) (3 ) (4 )… 相似文献