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Ni^2—交换蒙脱石中的镍物种及焙烧温度影响研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对一组自制Ni^2+交换蒙脱石样品中镍物种的存在在形及焙烧温度影响进行了TPR和XRD考察结果表明,样品中镍负载量等于或小于Ni^2+的交换量时,镍主要以难还原听可交换性阳离子Ni(OH)^q+x和易还原的自由态镍Ni(OH)2或NiO两种形式存在。 相似文献
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基于在生理、催化等方面研究中的重要作用,H_2Pc分子的电子结构一直受到广泛的注意和研究。但是,理论上算出的电荷分布与实验上测出的NIS XPS信息,目前还不相符。为此,本文用CNDO/2计算方法,对应H_2Pc的文献几何构型,进一步考察了H_2Pc与H_2Pc'的电子结构。计算方法和结果H_2Pc和H_2Pc'的骨架构型见图1。对于固态与气态的H_2Pc,目前多数人认为其具有D_(2h)点群对称性(尽管作为D_(4h)点群对称性的根据也是存在的)。为考察分子构型改变(特别是切割)对分子的电子结构、特别是电荷分布的影响,我们 相似文献
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In the present work we investigated a novel triplet ground-state germylenoid HB=GeLiF as well as its insertion reactions with RH(R = F,OH and NH2) using the DFT B3LYP and QCISD methods for the first time.Geometry optimization calculations show that the triplet HB=GeLiF has three equilibrium structures,in which the four-membered ring structure is the most stable with the lowest energy.All mechanisms of the three insertion reactions of germylenoid HB=GeLiF with RH(R = F,OH,and NH2) are identical to each other.Based on the calculated results,it is concluded that under the same conditions the insertion reactions should occur easily in the order of H-F > H-OH > H-NH2.In THF solvent the insertion reactions get more difficult than in the gas phase. 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。 相似文献
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