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1.
二硫化钼纳米片(MoS2)受到带电杂质、结构缺陷和易聚集等因素的影响,导致其电子转移性能下降,使其应用受限。将银纳米颗粒(Ag NPs)与少层MoS2纳米片复合,可提升MoS2纳米片的电化学性能。本研究创新性地采用微波还原法,使Ag NPs原位沉积于MoS2,得到Ag NPs/MoS2复合材料。结果表明,将Ag NPs/MoS2复合材料修饰于丝网印刷电极(screen printed electrodes,SPE)后,测得的循环伏安(cyclic voltammetry,CV)曲线峰电流值为同浓度单一MoS2修饰电极的1.8倍,方波伏安(square wave voltammetry,SWV)曲线峰电流值为单一MoS2修饰电极的3.4倍,电化学阻抗谱(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)的电子转移阻抗值(Ret)仅为167Ω,相比MoS2/S...  相似文献   
2.
二硫化钼纳米片(MoS2)受到带电杂质、结构缺陷和易聚集等因素的影响,导致其电子转移性能下降,使其应用受限。将银纳米颗粒(Ag NPs)与少层MoS2纳米片复合,可提升MoS2纳米片的电化学性能。本研究创新性地采用微波还原法,使Ag NPs原位沉积于MoS2,得到Ag NPs/MoS2复合材料。结果表明,将Ag NPs/MoS2复合材料修饰于丝网印刷电极(screen printed elec-trodes,SPE)后,测得的循环伏安(cyclic voltammetry,CV)曲线峰电流值为同浓度单一MoS2修饰电极的1.8倍,方波伏安(square wave voltammetry,SWV)曲线峰电流值为单一MoS2修饰电极的3.4倍,电化学阻抗谱(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)的电子转移阻抗值(Ret)仅为167 Ω,相比MoS2/SPE的Ret (320 Ω)显著减小,说明Ag NPs与MoS2复合可显著增强单一MoS2的电化学性能。此外,还推测了高导电性Ag NPs/MoS2复合材料的导电机理。最后,基于Ag NPs/MoS2复合材料构建了电化学传感器并对前列腺特异性抗原(PSA)进行检测。结果表明,该传感器针对PSA的检测限为0.009 ng·mL-1,线性检测范围为0.1~1 000 ng·mL-1,灵敏度为0.011 μA·mL·ng-1。  相似文献   
3.
采用直方图频率说明、参数分布拟合假设检验、非参数密度估计等多元统计技术,研究了铅、镉、汞、砷在不同动物源性产品中的分布特征,通过非参数方法给出了4种元素在不同产品中的密度分布函数曲线和经验分布函数曲线,以此解释了元素的分布特征,掌握了重金属的累积富集规律。  相似文献   
4.
溶胶-凝胶法制备含偶氮生色团的三阶非线性材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过溶胶-凝胶法制备了含三阶非线性光学发色团DRl9硅氧烷染料的有机-无机复合材料(3),其结构经1H NMR和IR表征.研究了pH值对3微观形态及光学性能的影响.  相似文献   
5.
对单液滴撞击冷表面的动态特性进行试验研究,通过快速可视化观测,分析了直径2.6 mm液滴撞击冷铝表面的冻结行为.结果表明,液滴撞击冷表面动态行为可分为铺展、回缩以及冻结沉积阶段.冻结阶段包括铺展过程冻结以及回缩过程冻结.液滴撞击冷壁面前期(0~3.5 ms),We起主导作用,壁面温度对液滴铺展行为几乎无影响。但壁面温度对液滴回缩及冻结过程影响较大.相同We下,壁面温度T-20℃,液滴最大铺展因子基本相同,达到冻结的平衡态铺展因子均小于最大铺展因子,且随壁面温度降低而逐渐增加,为回缩过程冻结.壁面温度T≤-20℃时,液滴最大铺展因子与平衡态铺展因子相同,为铺展过程冻结。本文试验条件下壁面温度-20℃可作为区分液滴撞击冷壁面铺展与回缩冻结的临界温度.  相似文献   
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