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利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
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随着科学技术的飞速发展,生产力水平正在不断提高,各行各业的就业岗位已经远远不能满足即将从业者的需求,就业“供”与“需”之间的予盾越来越突出.对于一名即将从业的人(尤其是即将毕业的大学生)来说,面对强手如林的竞争局面,除了刻苦学习必备的基础知识,努力训练从业的基本技能以外,在竞争工作岗位时,如何进行就业的决策,也是一个不容忽视的问题.本文通过几种具体情况,对这个问题进行一点探讨. 相似文献
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伯胺N1923萃淋树脂吸萃AgNO3的性能及机理的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文研究了伯胺N1923萃淋树脂的合成方法和此萃淋树在酸性体系中吸萃AgNO3性能及不同因素对其静态分配比的影响,通过多种方法确定其萃合物的组成为Ag(RNH2)2NO3并用红外光谱探讨了该萃淋树脂吸萃AgNO3的机理。 相似文献
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Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1
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Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献