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利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
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5.
GM(1,1)的周期修正模型及其在泉水流量预测中的应用 总被引:6,自引:2,他引:4
本文阐述了 GM( 1 ,1 )的残差周期修正模型 ,并将它应用于山西神头泉的流量预测中 ,建立了神头泉流量的 GM( 1 ,1 )周期修正模型 ,对其流量进行了预测 ,为神头泉域岩溶水资源开发利用和保护提供了科学依据 相似文献
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伯胺N1923萃淋树脂吸萃AgNO3的性能及机理的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文研究了伯胺N1923萃淋树脂的合成方法和此萃淋树在酸性体系中吸萃AgNO3性能及不同因素对其静态分配比的影响,通过多种方法确定其萃合物的组成为Ag(RNH2)2NO3并用红外光谱探讨了该萃淋树脂吸萃AgNO3的机理。 相似文献
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