欠电势沉积Bi-Te基体系热电材料的平衡热力学分析

基于普通的能斯特方程, 建立了单原子层平衡电势的热力学模型. 据此, 分析了单原子层覆盖度以及电吸附价与欠电势之间的相互关系, 获得了沉积物与衬底之间干涉特性. 并且分析了Bi-Te基体系欠电势沉积热力学特性. 通过对Bi欠电势沉积在几个不同的金属衬底体系的分析阐明了功函数随覆盖度的变化机制. 研究了铋离子的浓度变化对铋的欠电势及覆盖度的影响关系, 结果表明, 铋在铂上欠电势沉积的体系在整个欠电势范围内具有恒定的电吸附价, 而铋在覆盖了一层碲的铂衬底上欠电势沉积的体系其电吸附价随覆盖度的增加而降低, 从热力学理论角度对铋在碲覆盖的衬底上导致欠电势负移的特性给予了解释.     

碲在金衬底上的不可逆吸附行为及其欠电位沉积机制的研究

研究了碲在金衬底上的不可逆吸附行为特征及其对碲原子欠电位沉积行为的影响. 同时也探讨了碲原子于金衬底上的欠电位沉积机制. 结果显示在开路条件下碲原子在金衬底表面具有不可逆的吸附行为, 证实了在金的双电层范围内很难将这种碲的吸附物移走. 为了完全移走碲的吸附物, 需要采用特定的电化学清洗程序. 发现碲的吸附物移走发生在电位循环至金的氧化区域, 且在该区域这种碲的吸附物移走与金的表面氧化同时发生. 扫描速率分析结果证实碲欠电位沉积在金表面符合Sanchez-Maestre模型的三个标准, 说明碲原子于金衬底上欠电位沉积符合二维形核和生长机制.     

Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁 关键词： 铁电薄膜 异质结构 脉冲激光沉积(PLD)     

碲欠电位沉积于金衬底上碲离子浓度和扫描速率对欠电位的影响

电化学原子层外延;欠电位沉积;碲;热电材料