氢吸附导致的SiC表面金属化

文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC（001）-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC（001）-32表面金属化的一种新机制：通过形成氢桥键（Si-H-Si 复合结构）形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子.     

妙用“0”代换解“2015”年份题

<正>对于不能直接代入求值的问题,可先将已知条件变形得到一个其值为零的式子,再应用凑"0"法将待求值多项式分解因式析出那个为"0"的式子,或者分离出一部分是那个为"0"的式子,然后整体代入即可求得代数式的值.略举一例.     

基于变分贝叶斯优化的近邻采样 PF-SLAM 算法

针对移动机器人同时定位与地图构建（SLAM）中观测噪声随时间变化及粒子滤波(PF)中粒子多样性易丧失问题,提出基于变分贝叶斯优化的近邻采样PF-SLAM算法。采用高斯混合模型对时变的观测噪声建模,使用变分贝叶斯方法,迭代估算出混合模型中的未知参数;同时根据粒子权重将粒子划分为保留粒子和调整粒子,通过两种粒子间的近邻位置分布关系优化调整粒子位置,在处理时变观测噪声同时,解决粒子多样性丧失问题,使得优化的粒子集更好地表示机器人位置概率分布。实验表明,改进算法与传统PF-SLAM算法相比,定位与建图误差降低76%,较期望最大化算法下的定位与建图误差降低了54%,进一步验证了所提算法的可行性与有效性,为移动机器人同时定位与建图提供一定参考。     

C波段平面异向介质设计及其后向波特性验证

提出了一种工作在C波段的新型平面结构异向介质，它除了带宽宽和损耗小外，还具有体积小、结构简单的优点，而且能够实现工作频段的平移，频率平移范围为4—20 GHz.基于电磁波由自由空间入射半无限大异向介质平板的传输和反射数据，计算出了电波在其中传播时的相速随频率的变化曲线，结果表明所讨论的异向介质确实在预想的频段上表现出后向波特性；同时利用相位观察法进一步验证了上述的后向波特性，从而肯定了异向介质的存在. 关键词： 异向介质 宽频带 小单元 后向波特性     

负折射指数物质中金属线对电磁波的影响

构造两种结构负折射指数物质(NRM)，利用数值模拟计算两种结构的S参数.由于这种结构尺度比波长小，为精确利用有限积分技术(FIT)进行模拟.通过对这两种结构中金属线位置变化对金属谐振频率影响进行模拟，最后得出由于金属线与谐振环耦合，金属线对称破缺影响谐振环谐振频率和通带，并对等效负折射指数为负的频带产生影响. 关键词： 负折射率 左手物质 通带 金属线对称破缺     

水平均匀大气中多束光在接收面上的相关性及其对光强起伏的影响

在科尔莫戈罗夫理论的基础上，推广了光束在接收面上相关函数的物理含义。分析了多光束在接收面上的相关性。并在此基础上形成多光束光强起伏方差的解析表达式。分析结果表明，随着信道间距的增加，信道相关性下降。到达接收面的光强起伏方差降低；当信道完全重合，即相关系数变为1时，叠加后的光强起伏方差没有明显降低。与单光束时没有区别；在允许范围内增加光束数目可降低光强起伏。     

新型小型化的平面左手介质微带线及其后向波特性验证

基于裂缝谐振环结构的降频技术，首先设计了一种电尺寸较小的左手介质微带线单元，并根据电磁波在微带线上的传输和反射数据，分别计算了左手介质的有效介电常数和有效磁导率.之后针对左手介质八元阵列进行三维电磁仿真实验，结果表明该八元阵列在左手介质频段上具有独特的后向波效应，从而证实了该左手介质频段的存在.与传统的左手介质微带单元相比，阐述的左手介质单元的电尺寸减小了60%，而且结构简单，便于加工，适用于平面电路器件的小型化等应用研究工作.     

一种激光搜索跟踪系统的设计和仿真

介绍一种用于空间交会的激光搜索跟踪系统，该系统设计能够满足雷达、导航和通信的要求。通过对系统组成和工作流程等的分析，建立追踪航天器和目标航天器的激光搜索跟踪系统模型，该模型能够完成系统指标的计算和动画演示。     

4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.991015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0~350 V范围内研究了该探测器对3.5 MeV 粒子电荷收集效率,在0 V时为48.7%,在150 V时为99.4%,表明该探测器具有良好的电荷收集特性。     

沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究

采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。