薄层液/液界面电子转移动力学的研究进展

薄层循环伏安法是研究液/液界面电荷转移的一种新方法,具有简单、快速、易操作的优点。文章回顾了液/液界面电化学的发展历史,介绍了薄层法的实验原理,对其在电化学中的应用和研究进展进行了评述,总结了界面驱动力与电子转移速率的关系。     

过氧化聚吡咯膜修饰电极检测肾上腺素研究

报道了肾上腺素(EP)在过氧化聚吡咯膜(OPPy)修饰电极上的电化学行为及其测定方法。过氧化聚吡咯膜(OPPy)修饰电极对EP的氧化还原具有良好的催化作用,并具有较高的选择性。在最佳实验条件下,EP的还原峰电流与其浓度在2×10-7~5×10-4mol.L-1范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.999 9,检出限为8×10-8mol.L-1。将该电极应用于EP实际样品的测定,效果良好。     

苯酚的敞开体系化学振荡反应动力学法测定

利用KBrO3-Ce(SO4)2-Ch2(COOH)2-H2SO4敞开体系研究测定黄河水中苯酚污染物的新方法,在连续搅拌反应器（CSTR）中,当[KBrO3]=0.0625mol/L,[CH2(COOH)2]=0.187mol/,[Ce(SO4)2]=0.002mol/,[H2SO4]=0.8mol/L,蠕动泵单路流速为1.2mL/min时,苯酚的质量浓度在0.10-25mg/L范围内与振幅的改变、周期的改变呈线性关系,检出限为0.05mg/L;苯酚的加标回收率为95%-102%。     

三相电极法研究液/液界面离子转移的进展

三相电极法作为研究液/液界面离子转移的一种新方法,具有简单、快速、经济的特点。文章回顾了液/液界面离子转移的发展历史,介绍了三相电极法的实验原理,并对其在电化学中的研究进展和应用进行了评述,引用文献48篇。     

氟对别洛索夫-扎鲍京斯基振荡反应的影响

报道了氟离子对Ce(SO4) 2 KBrO3 CH2 (COOH) 2 H2 SO4(B Z)振荡体系的干扰 ,考察了在 5× 10 - 5～ 1× 10 - 3 mol L范围内 ,F- 的浓度与振荡反应周期的改变ΔTP 之间的关系。结合FKN机理模型 ,提出了F- 干扰振荡反应的机理 ,为其应用奠定基础     

扫描电化学显微镜研究液/液界面上高铁离子的动力学过程

生命现象最基本的过程是电荷运动,而液/液界面则被认为是最简单的模拟生物膜.液腋界面上电荷转移反应不仅与相转移催化过程有关,也与化学传感器,药理学中的药物释放有关,还与模拟生物膜的研究密切相关,其研究对于理解许多生物体系的反应具有重要的意义~([1]).     

薄层伏安法测量液腋界面电子转移速率的探讨

由于液腋界面可以看作是模拟生物膜或人造膜的简单模型,因此研究其上电子转移过程对理解生物体复杂的生理变化过程具有重要的意义.薄层伏安法最早由Anson于1998年提出,该方法以其简单、快速、易操作的优点成为测量液/液界面电子转移速率的有力手段,尤其是有机相中待测物含量仅需数μL,为研究一些产率低的难溶化合物的界面行为提供了极大的方便.     

不同离子液体中三氯化铁的电化学行为

本文采用循环伏安法研究了FeCl3在五种不同的离子液体(包括疏水性和亲水性的离子液体)中的电化学行为,计算了不同离子液体中FeCl4的扩散系数.实验结果表明:Fe3+在离子液体中的氧化还原过程是一个具有较高可逆性的扩散控制过程.离子液体的阴、阳离子的结构及大小对Fe3+的电化学响应有影响,且离子液体的阴离子的影响较阳离子更大一些.     

苯甲酸取代物在水/硝基苯界面转移的研究

本实验利用微滴法研究了苯甲酸取代物在水/硝基苯界面上的离子转移,测定了五种不同苯甲酸取代物的离子转移Gibbs自由能,其大小顺序为:o—NO2—C6H5COO->o—CH3—C6H5COO-=p—Cl—C6H5COO->p—OCH3—C6H5COO->o—OH—C6H5COO-。实验表明苯甲酸取代物在液/液界面上转移Gibbs自由能的大小与其有机阴离子稳定性有关,特别是苯甲酸上取代基的供电子效应对其转移Gibbs自由能的影响显著。     

聚乙烯亚胺功能化碳纳米管负载铂@金核壳纳米粒子的过氧化氢传感器

实验以聚乙烯亚胺(PEI)功能化的多壁碳纳米管(MWNTs)作为生长基质,电沉积金纳米粒子(AuNPs)作为晶种,采用种子介导生长法在玻碳电极(GCE)上生长铂纳米粒子(PtNPs),以此制备了一种新型的过氧化氢(H2O2)传感器。利用电化学方法和冷场发射扫描电镜(FESEM)对此修饰电极(Pt@Au/PEIMWNTs/GCE)进行了表征。示差脉冲实验表明,该电极对H2O2有优异的电催化效果,在9.2×10!8~2.1×10!3mol/L范围内H2O2的浓度与电流响应呈线性关系,线性相关系数0.9994,检出限3.1×10!8mol/L(S/N=3)。