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本文指出了工程界关于高阶马尔可夫过程的一个错误定义,证明了(p=2)满足这个定义的平稳高斯过程是不存在的。本文还指出了,如果二阶微分方程的特征根是实的,那么由微分方程 x"(t)+α_1x′(t)+α_2x(t)=ε(t)(式中ε(t)是白噪声)描写的随机过程x(t)的平稳解的任意均匀采样序列都不可能是AR(2)序列,而由下面微分方程 x"(t)+α_1x′(t)+α_2(t)=ε′(t)+βε(t)描写的随机过程的平稳解,当β~2>max(c_1~2,c_2~2)时,(c_1,c_2是特征方程z~2+α_1z+α_2=0的根)至少存在一个采样间隔△_1,使相应的样本序列是AR(2)。如果特征方程有共轭复根。那么存在可列个离散采样间隔△_k,使方程的平稳解的相应样本序列是二阶平稳广义马尔可夫序列。 相似文献
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ANON-INCREMENTALTIME-SPACEALGORITHMFORNUMERICALSIMULATIONOFFORMINGPROCESSLiuBaosheng(柳葆生)ChenDapeng(陈大鹏)LiuYu(刘渝)(ReceivedApr... 相似文献
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用线性电位扫描、恒电流放电、交流阻抗、析氢实验等方法研究了添加剂La(CH3COO)3在1.0 mol·L-1 MgSO4溶液中对AZ31镁合金电化学性能的影响.线性电位扫描和交流阻抗结果表明La(CH3COO)3添加剂的最佳浓度为0.4 mmol·L-1;交流阻抗和析氢实验结果表明添加0.4 mmol·L-1 La(CH3COO)3的缓蚀效率为41%;线性扫描结果表明La(CH3COO)3可使镁阳极活化;恒电流放电表明0.4mmol·L-1 La(CH3COO)3可大大改善AZ31镁合金在电解液中的放电性能;添加醋酸镧具有提高AZ31镁合金的耐蚀性和电化学活性的双重优点. 相似文献
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半导体表面增强拉曼散射(SERS)材料由于其低成本、高化学稳定性、生物相容性、结构多样性和可控性而备受关注。它们被认为是在实际应用中替代贵金属SERS基板的良好候选者。然而,半导体SERS基底的实际应用受到其低灵敏度和发展滞后的极大阻碍。最近我们研究小组提出了一种利用稀土元素镱(Yb)掺杂制备半导体TiO2基底材料,这种方法可以实现对二氧化钛的几何和电子结构调制,并且获得了对4-巯基苯甲酸(4-MBA)分子极大的SERS增强。相较于未掺杂的TiO2, Yb-TiO2表现出更加优良的SERS增强效果,根据Lombardi等提出的半导体SERS增强理论,增强是通过PICT机制中的Herzberg-Teller耦合,取决于吸附分子和基底能级匹配的程度。 相似文献
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采用超声在纯水中对氧化石墨烯(GO)进行裁剪, 研究了超声时间对GO片层尺寸、 官能团种类和含量的影响, 探讨了超声裁剪GO的机理. 用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)对产物进行观测, 结果表明, 随着超声时间延长, GO片层平均直径从2000 nm减小至200 nm. 红外光谱(FTIR)、 X射线光电子能谱(XPS)及热分析结果表明, 随着超声时间延长, GO的含氧官能团种类没有变化, 但是GO含氧官能团总量逐渐升高, 其中环氧基团含量逐渐下降, 羧酸基团含量变化不大, 酮基基团含量先下降后升高, 羟基基团含量先升高后下降, 醚氧基团含量逐渐升高. 基于上述结果, 提出了超声裁剪GO的机理: 超声空化现象形成的剪切力使GO的碳碳键、 环氧、 酮基基团断裂, GO片层尺寸变小; 在超声诱导下水分子形成的羟基自由基和氢自由基与片层上断裂形成的碳自由基结合生成羟基或醚氧基团, 未发生水解的碳自由基形成新的碳碳键, 长时间的超声作用还会使羟基基团发生断裂并转化成酮基基团. 利用超声在纯水中裁剪GO的条件温和, 不使用其它化学试剂, 可以有效控制GO片层尺寸, 是一种具有应用前景的二维材料裁剪技术. 相似文献
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