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Keggin结构杂多酸盐[(C2H5)4N]3[PMo12O40]单晶的水热合成及其结构表征 总被引:1,自引:0,他引:1
将苯基磷酸和CoCl2.6H2O,Na2MoO4.2H2O,MoO3混合,采用水热合成的方法制备出了标题化合物[(C2H5)4N]3[PMo12O40],并对其结构进行了X射线单晶衍射的测定.此晶体属于立方晶系,空间群为Cmca,晶体数据为a=1.9777(2)nm,b=1.6882(2)nm,c=1.7161(3)nm,α=90.00°,β=90.00°,γ=90.00°,V=5.7299(13)nm3,Z=4,R1=0.0533,wR2=0.1219.标题化合物含有四乙基胺阳离子和十二钼磷酸的阴离子,其中十二钼磷酸的阴离子具有典型的Keggin结构. 相似文献
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建立了坑点型划痕的旋转抛物面模型, 用三维时域有限差分方法研究了熔石英后表面坑点型划痕随深度、 宽度、 间距以及酸蚀量变化对波长λ =355 nm入射激光的调制.研究表明, 这类划痕调制最强区位于相邻两坑点的连接区, 且越靠近表面调制越强.当其宽深比为2.0---3.5、 坑点间距约为坑点宽度的1/2时, 可获得最大光场调制, 最大光强增强因子(LIEF)为11.53; 当坑点间距大于坑点宽度时, 其调制大为减弱, 相当于单坑的场调制.对宽为60δ (δ =λ/12), 深和间距均为30δ的坑点型划痕进行刻蚀模拟, 刻蚀过程中最大LIEF为11.0, 当间距小于300 nm时, 相邻坑点由于衍射形成场贯通. 相似文献
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Two localized CO2 laser treatment methods for mitigation of UV damage growth in fused silica
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Two methods:high-power,short-time,single-shot irradiation(Method A) and low-power,long-time,multi-shot irradiation(Method B) are investigated to mitigate the UV damage growth in fused silica by using a 10.6-μm CO2 laser.To verify the mitigation effect of the two methods,the laser induced damage thresholds(LIDTs) of the mitigated sites are tested with a 355-nm,6.4-ns Nd:YAG laser,and the light modulation of the mitigation sites are tested with a 351-nm continuous Nd:YLF laser.The mitigated damaged sites treated with the two methods have almost the same LIDTs,which can recover to the level of pristine material.Compared with Method A,Method B produces mitigated sites with low crater depth and weak light modulation.In addition,there is no raised rim or re-deposited debris formed around the crater edge for Method B.Theoretical calculation is utilized to evaluate the central temperature of the CO2 laser beam irradiated zone and the radius of the crater.It is indicated that the calculated results are consistent with the experimental results. 相似文献
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熔石英亚表面划痕对入射激光的近场调制是导致光学元件低阈值损伤的主要因素之一. 用三维时域有限差分方法研究了连续横向划痕的近场分布, 对比了尖锐截面与光滑截面场调制的差异, 着重探讨了光场调制与划痕宽深比R的关系. 研究表明: 酸蚀后的光滑截面有助于减弱近场调制, 这类划痕的R>10.0时调制较弱且相互接近, R<5.0时调制显著增强. 当R取1---3时, 亚表面的调制达最大值, 最大电场幅值为入射波幅值的4.3倍. 当R取1.0---3.5时, 缺陷附近有80%以上取样点的最大电场幅值超过入射波幅值的2倍. 随着深度的增大, 强场区具有明显的"趋肤效应": 位于划痕正下方的强场区首先往左右两侧移动, 然后移向抛物口界面以及水平界面, 同时衍生出的多条增强线诱导整个亚表面层的光场增强. 相似文献
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