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回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。 相似文献
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4.
利用浆态床反应器,考察了沉淀及老化温度对CuO/ZnO/Al2O3催化剂催化合成甲醇的活性及稳定性的影响,并用XRD、BET、FT-IR以及XPS等技术对前驱体及催化剂进行了表征。结果表明,前驱体物相主要以孔雀石(Cu2(CO3)(OH)2)和类孔雀石((Cu,Zn)2(CO3)(OH)2)为主,其中,70 ℃沉淀和80 ℃老化条件下制备的前驱体具有适当的结晶度,焙烧后的催化剂中CuO分布均匀,Cu元素的电子结合能位移最大,CuO与ZnO之间作用较强,催化剂的性能最佳,时空收率和失活率分别达到了153.3 g/(kgcat·h)和1.44%/d。 相似文献
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提出光滑分子动力学方法(SMD)的并行化计算方法,编制光滑分子动力学以及光滑分子动力学-分子动力学(SMD-MD)耦合的并行程序,并分析铜纳米单晶的单向拉伸和带裂纹板的拉伸问题.光滑分子动力学在分子动力学基础上引入背景网格,在背景网格点上求解运动方程,由此将控制MD临界时间步长的因素化为背景网格单元尺寸,扩大可用的时间积分步长,缩短总计算时间.通过单晶拉伸和带裂纹板拉伸等较大规模问题的计算,验证方法的正确性.与传统分子动力学相比,SMD和SMD-MD耦合方法可以节约计算时间. 相似文献
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The formation of macrostep during high-temperature phase of barium meta-borate (α-BaB 2 O 4) single crystal growth has been investigated by both optical in-situ observation system and atomic force microscopy (AFM).The insitu observation results demonstrate that the critical linear size of growing facet exceeding the size that the macrostep generates is significantly anisotropic.The critical linear sizes are around 280 μm and 620 μm for {1010} and {1010} planes,respectively.AFM study illustrates that macrostep train with a height of 150 nm~200 nm is one typical morphological feature of the as-grown crystal surface.The riser of each macrostep consists of several straight and parallel sub-steps,indicating the occurrence of step bunching.Additionally,triangular sub-steps with heights of several nanometers on the treads of the macrosteps are found to be another typical feature of surface morphology,which implies a microscopically competitive bunching of sub-steps between various crystallographic orientations. 相似文献