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用杂化密度泛函B3LYP方法研究了(AB)8(AB=BN,AlP,GaAs,InSb)团簇环形结构的平衡几何构型、电子结构、振动特性以及极化率。计算结果表明,(AB)8团簇的双层环状结构中,每个A(B)原子都与3个B(A)原子成键,且Ⅴ族元素的原子比Ⅲ族元素的原子更接近团簇中心,(BN)8、(AlP)8、(GaAs)8、(InSb)8的平均极化率依次增大,IR和Raman谱峰发生红移。另外,讨论了热力学稳定性和动力学稳定性的变化。 相似文献
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采用水热法成功制备了不同浓度的Zn1-xNixO(x =0,0.01,0.05,0.10,0.20)稀磁半导体材料,并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线能量色散分析(XEDS)、拉曼(Raman)光谱和振动样品磁强计(VSM)对其晶体结构、形貌、组成元素和磁学性能等进行表征,实验结果表明,本方法所制备的不同掺杂浓度的Zn1-xNixO稀磁半导体样品具有结晶良好的纤锌矿结构,没有杂峰出现,样品中的Ni2+全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn2+的格点位置,生成单一相的Zn1-xNixO,样品形貌都为纳米棒状结构,分散性良好.Zn1-xNixO样品在室温条件下存在明显的铁磁性,饱和磁化强度都随着Ni2+掺杂量的增加而呈现出先增加后减小的趋势,同时样品的单个镍原子的磁矩是逐渐下降的. 相似文献
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采用水热法以Na2S· 9H2O为硫源,Cd3O12S3·8H2O为镉源,PVP为表面活性剂,成功制备了CdS纳米棒.并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和相应选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线能量色散分析谱仪(XEDS)和紫外可见(UV-vis)分光光度计等测试手段对样品的晶体结构、形貌、微观结构和光学特性等特征进行了表征分析,实验结果表明本方法所制备的CdS纳米棒为纤锌矿结构,沿[001]方向择优生长,平均直径大约为50 nm,棒宽均匀、分散性好,带隙为2.43 eV.同时也对CdS纳米棒的形成机理进行了初步探讨,提出了CdS纳米棒的生长模型,其形貌从三角形到阶梯形棒晶,最后再到完整的棒状晶体的一个定向团聚的自组装过程. 相似文献
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BaTiO_3纳米颗粒的聚丙烯酰胺凝胶法合成及光催化降解甲基红性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用聚丙烯酰胺凝胶法合成了BaTiO3纳米颗粒,利用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、透射电镜和紫外-可见漫反射光谱对样品进行了表征.结果表明,以柠檬酸酸为络合剂、pH=2且在700°C焙烧时可制备出单相BaTiO3纳米颗粒,其形状较为规整,近似呈球形,平均粒径约为55nm,光学带隙值为3.25eV.以偶氮染料甲基红为目标降解物,研究了BaTiO3纳米颗粒的光催化性能.结果表明,在紫外光照射下该纳米颗粒表现出较高的催化活性,光催化机理主要为光生空穴的直接氧化. 相似文献
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疏松型螺线管电流轴线上磁场的数值计算 总被引:10,自引:0,他引:10
应用数值模拟方法,细致地分析了疏松型螺线管电流轴线上的磁场随螺距和轴线上位置的变化关系,计算结果表明,当螺距较大时,其磁场分布与密绕螺线管电流的磁场分布相差很大,磁场沿轴线和垂直于轴线的方向都有分量,螺距越大,垂直于轴线方向的磁场分量越大;但当螺距较小或距螺线管中心较近外,磁场几乎与密切螺线管电流产生的磁场相当,可用表述密绕螺线管电流的轴线上磁场的简单公式来近似。 相似文献
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Bulk MgB2 superconductor with high critical current density synthesized by self-propagating high-temperature synthesis method 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pure MgBMgB2 超导体 临界密度 自我传播 预热温度 超导电性 SHS method, bulk MgB2 superconductor, superconductivity Project supported by the Natural Science Foundation of Gansu province of China (Grant No ZS032-B25-019). 2005-03-18 7/2/2005 12:00:00 AM Pure MgB2 bulk samples are successfully synthesized by self-propagatlng hlgh-temperature synthesis (SHS) method. The experiments show that the best preheating temperature is 250℃, the highest Jc values of the prepared MgB2 reach 1.5×10^6A/cm^2 (10K, 0.5T) and 1.7×10^6A/cm^2 (20K, 0T), and the MgB2 particle sizes range from 2 to 5μm. The advantages of this method are that it is simple, economical and suitable for the manufacture of bulk MgB2 materials on industrial scale. 相似文献