单层结构ε-CuPc光导体的静电照相特性──ε-CuPc的浓度的影响

本研究将ε-酞菁铜(ε-CuPc)按不同浓度分散在一种聚酯树脂(Vylon200)中,并布在铝板基上构成光导体。测试结果表明,这种光导体可用作正充电或负充电光导体,但在相同的有效充电电位下,即,在V-V_T(其中V_T为临界充电电位)相同的条件下,负充电的表面饱和电压高于正充电的表面饱和电压。当ε-CuPc的质量分数超过40%时,光导体的暗衰减速度过快;当ε-CuPc的质量分数低于20%时,暗衰减速度虽然得到控制,但光衰减速度太低,而且残留电位大幅度增高。ε-CuPc的质量分数在30～40%被认为是适当的。