多孔硅在射频/微波电路中的研究进展

多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景. 阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问题作了讨论.     

聚(2-甲氧基-5-壬氧基)对苯乙炔的合成及其电致发光性质

以对甲氧基苯酚和溴代正壬烷为原料,通过醚化、氯甲基化和脱氯化氢反应得到可溶性的聚（２－甲氧基－５－壬氧基）对苯乙炔,以其为发光层装配了聚合物单层电致发光器件,研究了它的电致发光和光致发光性质;电致发光器件具有良好的稳定性,其起亮电压为７Ｖ。聚合物的结构由ＩＲ、＾１Ｈ－ＮＭＲ及ＵＶ／Ｖｉｓ光谱得到确认。     

扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究

扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段.本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析.结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量.此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据.     

光电系统顶层规划与总体设计技术综述

简单介绍了国内光电系统现状,阐述了光电系统的顶层规划和总体设计的主要任务,从项目管理和总体设计两个方面简述了顶层规划和总体设计的主要方法、内容及现实意义,用总体设计的一般原则、基本内容和基本方法与步骤分析了光电系统总体设计思路.展望了光电技术的发展趋势,并提出了较好的建议和措施.     

刚性-柔性嵌段共聚物PPQ-b-PEG在选择性溶剂中自组装制备单分散性聚合物微球

刚性-柔性嵌段共聚物聚苯基喹啉-b-聚乙二醇(PPQ-b-PEG)在选择性溶剂中具有自组装行为. 该共聚物在V (三氟乙酸, TFA)︰V (二氯甲烷, DCM) = 1︰1的混合溶剂中能够自组装成直径为几个微米的聚合物空心球. 空心球尺寸随着PPQ聚合度的增大而增大, 具有单分散性, 溶液浓度对球径没有影响, 浓度过低时, 球的表面出现毛刺. 同时所形成稀溶液的最大吸收波长为378 nm, 最大发射波长为605 nm.     

基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究

提出基于阳极腐蚀的多孔硅的形成同时包含多孔硅的形成和电抛光体硅两部分组成 .把电抛光体硅的电流密度Je 与总的腐蚀电流密度J的比值定义为抛光因子α .推导出了多孔硅的成长速度与腐蚀电流密度、多孔度和抛光因子α之间的关系式 .在实验误差的范围内 ,三组文献提供的实验数据验证了本文结论的正确性 .     

非制冷红外焦平面探测器技术应用及市场分析

主要介绍了非制冷红外焦平面探测器的发展历史、现状以及主要应用领域,分析了非制冷红外焦平面探测器技术未来发展趋势和市场应用前景,对红外产品生产厂家的未来发展方向提供了参考建议.     

基于带隙分析的三维反蛋白石光子晶体的非理想态结构参数的求解

应用平面波展开法分析了三维反蛋白石结构光子晶体的带隙性质;计算了沿[111]方向入射时其赝带隙(第一、第三赝带)中心频率分别与填隙材料在模板中填充率ff、模板煅烧因子sf的关系曲线:随ff的减小,v增大;随sf的增大,v随之增大,非理想状态下,ff＜100;、sf＞1,因此较理想态发生蓝移;由此提出了求解平均填充率ffev与平均煅烧因子sfev的计算框图.     

基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究

提出基于阳极腐蚀的多孔硅的形成同时包含多孔硅的形成和电抛光体硅两部分组成。把电抛光体硅的电流密度Je与总的腐蚀电流密度J的比值定义为抛光因子α。推导出了多孔硅的成长速度与腐蚀电流密度、多孔度和抛光因子α之间的关系式。在实验误差的范围内，三组文献提供的实验数据验证了本文结论的正确性。     

基于系统非线性校正与滤波的相位测量

相位测量系统中投影仪输出与CCD输入变形条纹光强之间的非线性导致频谱混叠,影响测量精度,为了消除他们之间的非线性关系,提高相位测量精度,分析了系统非线性产生的基本原因,提出了一种基于系统非线性校正与滤波的相位测量方法.首先校正由投影仪中伽马畸变产生的系统非线性,然后采用低通滤波器对校正后输出的频谱进行滤波,只保留频谱中的基频成份,最后采用四步相移法对变形条纹进行相位测量.MATLAB仿真与实际实验结果表明,所提方法的系统非线性校正与滤波效果较好,有助于提高相位测量精度.