基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响

如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要.本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析.研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃～±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显.对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20;时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳.     

镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须对镍粉/环氧树脂屏蔽涂料性能的影响

以镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须和镍粉作为屏蔽功能填料,以环氧树脂作为黏结剂,按照涂料制备的方法,制备了一种新型镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须/镍粉/环氧树脂电磁波屏蔽复合涂料,并研究了镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须对镍粉/环氧树脂屏蔽复合涂料导电性和屏蔽性能的影响。结果表明,镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须的最佳含量为占屏蔽复合填料的5%。当涂层厚度为0.3mm时,涂层的电阻率为1.32Ω.cm,在300 kHz~1.5 GHz频段内,涂层的屏蔽效能为37.197~46.139 dB。与不含晶须的涂层相比,电阻率降低了1.08Ω.cm,屏蔽效能提高了5.385~9.854 dB。该研究为矿产资源的综合利用和电磁环境污染的综合治理提供了一种新的思路和方法。     

镁表面制备羟基磷灰石涂层方法研究

镁及其合金由于具有良好的生物学特性,成为潜在的可生物降解的植入材料;但是其低的抗腐蚀能力会导致植入失败。在镁基体表面获得羟基磷灰石(HA)涂层用以改善镁及其合金的抗腐蚀能力。以硝酸钙和五氧化二磷为前躯体,使用溶胶-凝胶法制备出羟基磷灰石,并使用旋涂法在工业纯镁表面合成羟基磷灰石(HA)涂层。样品利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)进行了表征,并探讨了热处理温度对涂层的影响以及涂层的生成机理。     

Al-4.5Cu和Mullite增强Al-4.5Cu复合材料时效析出行为的DSC研究

用差示扫描量热法（DSC）对Al-4.5Cu合金和莫来石（Mullite)短纤维增强Al-4.5Cu复合材料的时效析出行为进行了研究；结果表明Al-4.5Cu合金和Mullite增强Al-4.5Cu复合材料固溶淬火试样的DSC扫描曲线存在较大不同，溶质原子富集区（GP）形成和溶解的信息在基体合金的DSC曲线上清晰可见，但在复合材料的DSC曲线上则很难确认，表明纤维推延或抑制了GP区的形成；中间沉淀析出相θ″和θ′的析出过程由于纤维的引入而得到明显加快，峰值温度降低，活化能减小，时效析出过程加快；但是，扫描参数选择不当时，容易对析出相的析出过程产生错误判断，应引起重视。     

碧血心成千古赞,愁肠九曲谁能解——文天祥求生心理历程初探

在文天祥被羁押于大都监狱的最后四年中,当他面对死亡的威胁时,他内心充满了渴望：他渴望着能与妻儿团聚,终老于故土;他渴望着能隐居山林;他渴望着能以遗民身份全身于乱世。     

直流弧光放电PCVD金刚石膜制备中基底控温系统的研制与应用

基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统.将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征.结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所制备的金刚石薄膜的品质明显得到提高,具有广泛的应用前景.     

"历史演义"中真实与趣味的两难选择——论蔡东藩与罗贯中所演之"义"的差异性

历史演义的真实性和趣味性历来是文史纷争的焦点问题,罗贯中和蔡东藩依据三国史料而演义的小说体现了各自不同的“义”之内涵,同时也令读者重新审视着真实与趣味的两难境地。本文试图从二者“义”之差异性来分析文史两家的不同价值取向,探讨史学在民众中普及的科学方式。     

氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响

本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究.采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察.结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响.在CH_4/H_2恒定时(0.8;),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420～700 mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5 μm 逐步增大到7 μm;Ar流量为700～910 mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7 μm急剧减小到纳米尺度,约50 nm.