应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移

采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响．结果表明，它们的价带偏移值具有显著的应变效应，此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋－轨道分裂能量的耦合．这一效应导致了ＡＩＳｂ－ｌｎＳｂ和ＧａＳｂ－ＩｎＳｂ系统中最高价带排列的Ⅰ－Ⅱ型超晶格的转变．     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

Electronic Structure of Si1-xⅣx/Si Superlattices on Si （001）

We have preformed systematical ab initio studies of the structural and electronic properties of short-period Si1-xⅣx/Si （x = 0.125, 0.25, 0.5, Ⅳ=Ge, Sn） superlattices （SLs） grown along the [001] direction on bulk Si. The present calculations reveal that the Si0.875Ge0.125/Si, Si0.75Ge0.25/Si and Si0.875Sn0.125/Si are the F-point direct bandgap semiconductors. The technological importance lies in the expectation that the direct gap Si1-xⅣx/Si SLs may be used as components in integrated optoelectronic devices, in conjunction with the already well-established and highly advanced silicon technology.     

稀土金属间化合物CeSn_3和CeIn_3的能带理论

本文报道了CeSn, 和Celn_3 的能带计算结果. 对其f 电子的行为, 以及f 电子与非f 原子的s, p , d 电子之间的杂化进行了讨论. 分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构. 关键词：     

用线性丸盒轨道原子球近似超元胞法计算(Ba_(1-x)K_x)BiO_3立方超导相(x=0.25,0.5,0.75)的电子结构

用线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)超元胞法计算(Ba_(1-x)Kx)BiO_3立方超导相x=0.25与x=0.5的电子结构,作为对照同时计算立方结构x=0.75的电子结构。计算结果表明,用超元胞法可以得到比“刚带近似”较精确的电子结构参数。给出Fermi面上的能带参数随组分的变化趋势。讨论了不等价的氧原子与周围金属原子价轨道的杂化特征。     

Electronic Structures of the Filled Tetrahedral Semiconductor LiMgN with a Zincblende—Type Structure

An ab initio method with mixed-basis norm-conserving non-local pseudo-potentials has been employed to investigate the electronic structures of LiMgN.The band structure ,electronic density of states and charge density contour plot of LiMgN are also presented.By the calculation,we have found that LiMgN with a zincblende-type structure was an indirect gap semiconductor,and the value of indirect(Γ-X) energy band gap under the local density approximation was 2.97eV.In addition,the strong covalent charcter for Li-N and Mg-N has also been found in LiMgN.     

陈—Mobius变换与Mobius函数的Kroneckerδ函数展开

给出Ｍｏｂｉｕｓ函数的Ｋｒｏｎｅｃｋｅｒδ函数展开式，由此用组论证明陈－Ｍｏｂｉｕｓ反演变换。根据Ｋｒｏｎｅｃｋｅｒδ函数展开式， 将Ｍｏｂｉｕｓ函数推广到任意幺半群的情况并给出相应的反演公式。     

用线性丸盒轨道原子球近似超元胞法计算(Ba1-xKx)BiO3立方超导相(x=0.25,0.5,0.75)的电子结构

用线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)超元胞法计算(Ba_1-xKx)BiO₃立方超导相x=0.25与x=0.5的电子结构,作为对照同时计算立方结构x=0.75的电子结构。计算结果表明,用超元胞法可以得到比“刚带近似”较精确的电子结构参数。给出Fermi面上的能带参数随组分的变化趋势。讨论了不等价的氧原子与周围金属原子价轨道的杂化特征。 关键词：     

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)₁(InP)₁(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△E_v)的普遍适用的参考能级。研究了应变对 关键词：     

Ⅲ-V族化合物半导体Λ轴光学声子形变势的研究

本文在LMTO-ASA能带计算中,采用冻结声子模型,系统地研究了Ⅲ-V族化合物半导体的Λ轴光学声子形变势随k值的变化关系,提供了9种Ⅲ-V族化合物在Λ轴不同k值情况下的光学声子形变势d₃₀(Λ), d₁₀(Λ,val)和d₁₀(Λ,con)的第一原理计算结果。