连续柱状晶组织BFe10-1-1合金的电化学腐蚀性能

采用线性极化、电化学阻抗谱等电化学方法研究了连续柱状晶组织BFe10-1-1合金在3.5%（质量分数）NaCl溶液中的耐蚀性能,并与普通铸造多晶组织BFe10-1-1合金进行了对比.极化曲线测试结果表明,两种合金具有相似的电化学行为,极化曲线都包括活性溶解区、活化-钝化转变区和极限电流区,但连续柱状晶组织合金腐蚀速率小于普通铸造多晶组织合金,主要是由于连续柱状晶组织BFe10-1-1合金的微观偏析程度较小,能有效避免枝晶间局部腐蚀的发生.电化学阻抗谱测试结果也表明,该合金的电荷传递电阻和腐蚀产物膜电阻均大于普通铸造多晶组织合金,具有更高的耐蚀性.     

热处理对超高强铝合金沉积坯微观组织的影响

以喷射沉积技术制备的Al-12Zn-2.4Mg-1.1Cu-0.20Zr-0.30Sc-0.30Ni合金沉积坯为研究对象,采用DSC、XRD、SEM和TEM等分析手段对沉积坯在不同温度下热处理后的微观组织演变进行了研究. 结果表明:室温沉积坯基体中有大量η相粒子;在不同热处理制度下溶质元素会发生回溶或脱溶,从而影响合金组织与性能;在460℃/8h热处理时,依附于富Cu初始η相粒子形成了亚稳态T((Al,Zn)49Mg32)相,该相在490℃/8h热处理后消失;490℃/8h热处理时Al3(Sc,Zr)粒子从沉积坯二次析出,其"钉扎效应"与Cu回溶造成的"晶格畸变"是490℃/8h时沉积坯硬度达到最高值(192 HV)的重要影响因素.     

工艺参数对连续定向凝固Cu-12%Al线材表面质量、组织和性能的影响

采用真空熔炼、氩气保护下拉式连续定向凝固方法制备了直径为6mm的Cu--12%Al（质量分数）合金线材,并研究了结晶器长度、熔体温度和拉坯速度对线材表面质量、组织和力学性能的影响.结果表明:在结晶器长度为20～40mm,熔体温度为1100～1250℃,拉坯速度为10～70mm·min^-1范围内,可以稳定制备出具有单晶或柱状晶组织的线材.缩短结晶器长度、提高熔体温度或拉坯速度均有利于改善线材表面质量;降低熔体温度、增加结晶器长度或提高拉坯速度连铸有利于获得连续柱状晶组织.当结晶器长度为30mm,熔体温度为1100～1150℃,拉坯速度为10～70mm·min^-1时,线材横截面晶粒尺寸随拉坯速度的增加先减小而后增加.在结晶器长度30mm,熔体温度1150℃,拉坯速度30mm·min^-1条件下制备的连续柱状晶组织线材,其延伸率可达25.7%.     

基于ANFIS方法的连续定向凝固BFe10-1-1合金的压缩流变应力模型

Silver in the form of AgNO3 was added to ZnO-based varistor ceramics prepared by the solid-state reaction method.The effects of AgNO3 on both the microstructure and electrical properties of the varistors were studied in detail.The optimum addition amount of AgNO3 in ZnO-based varistors was also determined.The mechanism for grain growth inhibition by silver doping was also proposed.The results indicate that the varistor threshold voltage increases substantially along with the AgNO3 content increasing from 0 to 1.5mol%.Also,the introduction of AgNO3 can depress the mean grain size of ZnO,which is mainly responsible for the threshold voltage.Furthermore,the addition of AgNO3 results in a slight decrease of donor density and a more severe fall in the density of interface states,which cause a decline in barrier height and an increase in the depletion layer.     

氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理. 随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω·cm,介于半导体和绝缘体之间. 随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体. 第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体.