用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_(1-x)P的光学性质(Ⅰ)

用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数．对其结果进行了讨论,给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值,Δ０的实验值与计算值符合的很好．     

MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜

采用常压金属有机物气相沉积法生长AlAs/GaAs周期性反射膜,并利用双晶X射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段,对材料结构及光学性质进行了分析.实验结果表明,在780℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好,但是反射率低;通过模拟计算,连续生长存在渐变层,而渐变层大大降低了反射率;在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料.     

维特根斯坦的语言、逻辑与哲学思想研究——维特根斯坦《哲学研究》精要分析

《哲学研究》是后期维特根斯坦哲学思想的集中反映,为了对深入阅读、研究以及正确理解维特根斯坦哲学有所帮助,从语言、逻辑、哲学3个角度对《哲学研究》进行梳理和归纳,从而反映维特根斯坦哲学体系的思想要点。     

用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1-xP的光学性质(Ⅱ)

用椭偏光谱法对用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ掺Ｓｉ及掺Ｚｎ样品在室温下,可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱．将用于分析调制反射谱的三点比例法推广,并用来分析介电函数的三级微商谱．精确地得到样品的带隙Ｅｇ,Ｅｇ＋△０以及Ｅｇ以上成对结构跃迁的能量位置及其间隔．计算了Ｅｇ以及费米能级的相对位置．将实验值与计算值比较,分析其差异的原因,发现样品存在有序结构