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用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的GaxIn1-xP以及掺Si和掺Zn样品在可见光区室温下的光学常数.对其结果进行了讨论,给出了带隙Eg和跃迁Eg+Δ0的能量值,Δ0的实验值与计算值符合的很好. 相似文献
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用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质(Ⅰ) 总被引:2,自引:1,他引:2
用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的GaxIn1-xP以及掺Si和掺Zn样品在可见光区室温下的光学常数。对其结果进行了讨论,给出了带隙Eg和跃迁Eg+Δ0的能量值,Δ0的实验值与计算值符合的很好。 相似文献
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