孔雀兼职

孔雀在国际舞蹈表演竞赛上获得了大奖,引起了极大轰动。回国后,《鸟国日报》杜鹃记者访问孔雀,发表了长篇访问记。《舞坛》杂志还派人协助孔雀写出了自传《我的道路》,在《舞坛》杂志显著位置刊出。孔雀成了知名度很高的舞蹈艺术家,各个协会、学会和社会团体的会议通知、请柬、聘书,纷至沓来,推选孔雀担任领导职务或荣誉职务,而且都提出了不容推卸的理由。独舞研究会和民间舞蹈研究会推选孔雀担任副会长,因为它是著名独舞和民间舞蹈家;美化生活研究会和服装研究会,推选孔雀担任名誉理事,是因为它的服装精美绝伦;水文地质研究会聘请孔雀为顾…     

收缩喷嘴中的湍流Ⅰ——边界层解

应用边界层积分法,研究锥形喷嘴入口区域中湍动涡流的发展.球面坐标系中的控制方程,通过边界层的假定得到简化,并对边界层进行了积分.应用4阶Adams预测校正法求解该微分方程组.入口区域的切向和轴向速度,分别应用自由涡流和均匀速度分布来表示.由于缺乏收缩喷嘴中涡流的实验数据,需要用数值模拟对该发展模式进行逆向验证.数值模拟的结果证明,该解析模型在预测边界层参数中的能力,例如边界层的生长、剪切率和边界层厚度,以及不同锥度角时的涡流强度衰减率等.为所提出的方法引进一个简明而有效的程序,用以研究几何形状收缩设备内的边界层参数.     

Finesse 全瓷冠适合性的体外实验研究

目的 :测量Finesse全瓷冠的边缘浮出量及粘固剂的厚度 ,并与金属全冠及金瓷全冠相比较 ,为Finesse全瓷冠的临床应用提供适合性方面的理论依据。方法 :用片切法测量 3组全冠粘固前、后边缘浮出量及粘固剂的厚度。结果 :Finesse全瓷冠粘固前、后的边缘浮出量分别为 (37 6 1± 9 13) μm、(6 5 85± 15 11) μm ,粘固剂厚度为 (40 84± 9 73) μm ,与金属全冠及金瓷全冠相比较 ,均无显著性差异 ;3组全冠粘固前和粘固后的边缘浮出量有显著性差异。结论 :Finesse全瓷冠适合性良好 ,完全可为临床应用 ;粘接对全冠修复体的边缘浮出量有影响。     

托物寄言 全副精神——浅谈杜甫的寓言诗

我国是有丰富寓言遗产的国家,但唐代以前的寓言,绝大部分是散文体的,诗体寓言较少,唐代是我国诗歌发展史上的黄金时代,许多诗人都写了寓言诗。唐代大诗人杜甫的诗兼备众体,他的寓言诗成就也是很突出的。现存杜甫的寓言诗约三十余首。这些诗,有隐喻时事的,有抨击弊政的,有愤世嫉俗的,有讽刺世态的,更多的则是托物言志之作。     

从金融中介学的视角看场外交易市场的功能和作用

场外交易市场作为一种金融中介组织,可以有效解决我国中小企业融资难的问题。从金融中介学的视角分析了场外交易市场的功能和作用。     

Ultra-low specific on-resistance high-voltage vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with continuous electron accumulation layer

A new ultra-low specific on-resistance(Ron,sp) vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(VDMOS) with continuous electron accumulation(CEA) layer, denoted as CEA-VDMOS, is proposed and its new current transport mechanism is investigated. It features a trench gate directly extended to the drain, which includes two PN junctions. In on-state, the electron accumulation layers are formed along the sides of the extended gate and introduce two continuous low-resistance current paths from the source to the drain in a cell pitch. This mechanism not only dramatically reduces the Ron,sp but also makes the Ron,sp almost independent of the n-pillar doping concentration(Nn). In off-state, the depletion between the n-pillar and p-pillar within the extended trench gate increases the Nn, and further reduces the Ron,sp.Especially, the two PN junctions within the trench gate support a high gate–drain voltage in the off-state and on-state, respectively. However, the extended gate increases the gate capacitance and thus weakens the dynamic performance to some extent. Therefore, the CEA-VDMOS is more suitable for low and medium frequencies application. Simulation indicates that the CEA-VDMOS reduces the Ron,sp by 80% compared with the conventional super-junction VDMOS(CSJ-VDMOS)at the same high breakdown voltage(BV).     

从汉语史的角度论《列子》非魏晋人所伪作（上）

《列子》非张谌伪作的看法,已经越来越为更多的人所接受,但学术界仍存在一种较普遍的观点,认为今本《列子》:“从思想体系和语言风格看,可能是晋人作品.”(《哲学大辞典中国哲学史卷》220页,上海辞书出版社1985年12月第1版)“从思想内容和语言使用上看,可能是魏晋人的作品.”(《中国大百科全书·中国文学卷》429页,中国大百科全书出版社1988年9月第2版)关于从思想体系、思想内容看,《列子》是先秦作品而不是魏晋作品的论证,详见另文《从思想史的角度论<列子>非魏晋人所伪作》.本文专从汉语史的角度来论证<列子>非魏晋人所伪作.从语言使用方面,认为《列子》是魏晋人的作品,持这种看法的人虽有一些,但迄今为止,较为完整的论述这一问题的文章还只有杨伯峻的《从汉语史的角度来鉴定中国古籍写作年代的一个实例—<列子>著述年代考》,此文最初发表于《新建设》杂志1956年7月号,后收入杨伯峻《列子集释》附录“辨伪文字辑略”中.持从语言使用上看《列子》可能是魏晋人作品的看法的人,大抵都本自杨伯峻的这篇文章.     

转速变化对离心泵性能影响的数值模拟

以1200S56型双吸离心泵为研究对象,通过Fluent软件,运用雷诺时均方程和RNGk-ε湍流模型,结合SIMPLEC算法,对其8个转速下的5组相似工况进行三维全流道数值模拟.由模拟结果分析相似工况点上泵内部流场的变化情况,发现在相似工况下泵内部流场高度相似,符合泵的相似理论.由数值模拟结果计算各工况的性能参数,得出数值模拟预测值相对于比例定律计算值的误差.结果显示,转速变化时,泵的效率下降很小,而扬程、功率的相对误差多数都在1％以内,说明比例定律能较好地反映泵的性能参数随转速的变化情况.     

负参数Mathieu函数类的计算

为解决实际工程尤其是电磁场问题中需要计算负参数Mathieu函数精确值的难题,在总结了含正、负参数的Mathieu函数之间变换关系的基础上,推导出了各类含负参数Mathieu导函数的叠加计算公式.并据此编制了各类含负参数Mathieu函数及其导函数的计算程序,给出相应的计算数表和函数曲线.通过与商业软件、参考文献及标准数学手册的对比,验证了计算结果的准确性和可靠性,修正并补充了参考文献和数学手册中的部分结果.所编制的Matlab程序包为实际工程应用中计算Mathieu函数类提供了有效的计算工具.     

A novel LDMOS with a junction field plate and a partial N-buried layer

A novel lateral double-diffused metal–oxide semiconductor (LDMOS) with a high breakdown voltage (BV) and low specific on-resistance (R_on.sp) is proposed and investigated by simulation. It features a junction field plate (JFP) over the drift region and a partial N-buried layer (PNB) in the P-substrate. The JFP not only smoothes the surface electric field (E-field), but also brings in charge compensation between the JFP and the N-drift region, which increases the doping concentration of the N-drift region. The PNB reshapes the equipotential contours, and thus reduces the E-field peak on the drain side and increases that on the source side. Moreover, the PNB extends the depletion width in the substrate by introducing an additional vertical diode, resulting in a significant improvement on the vertical BV. Compared with the conventional LDMOS with the same dimensional parameters, the novel LDMOS has an increase in BV value by 67.4%, and a reduction in R_on.sp by 45.7% simultaneously.