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通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。 相似文献
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研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小。较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏。 相似文献
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本文分析了双层SiNx-SiNx减反射膜和带有氧化层的三层SiNx-SiNx-SiO2减反射膜对多晶硅太阳电池性能的影响.模拟结果表明,增加了氧化层的三层SiNx-SiNx-SiO2减反射膜多晶硅太阳电池电学输出特性优于双层SiNx-SiNx减反射膜多晶硅太阳电池.实验分析表明,三层SiNx-SiNx-SiO2减反射膜反射率略高于双层SiNx-SiNx减反射膜反射率,增加了氧化层的三层SiNx-SiNx-SiO2减反射膜多晶硅太阳电池具有更好的钝化效果,使得其光电转化效率有所增加. 相似文献
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通过PC1D模拟和实验的方法分析了经臭氧氧化的和未经臭氧氧化具有抗PID效应的氮化硅减反射膜单晶硅太阳电池的反射率、外量子效率和电学特性.模拟结果表明,经臭氧氧化的氮化硅减反射膜的减反射效果和外量子效率优于未经臭氧氧化的氮化硅减反射膜减反射效果和外量子效率.实验测试表明,反射率测试与模拟结果一致;相比未经臭氧氧化的氮化硅减反射膜晶硅太阳电池,经臭氧氧化的氮化硅减反射膜太电池其短路电流、填充因子和转换效率分别增加了6 mA、0.03;和0.04;. 相似文献
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