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近来几个超导研究小组相继报导MgB2磁通线的涡旋相图具有与高温超导体相似的特性,而且该超导体电阻率在外场中展宽的超导区大部份对应涡旋液体相.本文发展了一种新的求导超导体有效钉扎势方法,并利用MgB2电阻在外场中展宽测量数据,发现在超导转变区,其有效钉扎势相应温度的函数关系分为两个区域,其中一个区的热激活能和温度的关系是线性的,另外一个区是非线性的.这明确表明与F. Bouquet et al(Nature, 411(2001), 448)发现高温超导体YBa2Cu3O7-δ具有两个涡旋液体相相类似.MgB2的涡旋液体相也同样具有两个不同的液体相. 相似文献
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以过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法制备了12-硼钨酸钾(K5 BW12 O40·nH2O)与盐酸共掺杂的聚苯胺材料。通过傅里叶红外光谱分析、X射线衍射分析和电导率测试等手段研究了12-硼钨酸钾与苯胺单体的质量比(X)对掺杂聚苯胺结构和性能的影响,同时结合循环伏安测试研究了材料的电化学性质。结果表明,在掺杂过程中[BW12 O40]5-作为对阴离子进入到聚苯胺链上,其含量随着犡的增大而增多。进入分子链上的[BW12 O40]5-阴离子会影响材料分子链排列的有序程度,进而影响材料的导电性能。合成的新材料可作为新型的电化学活性材料。 相似文献
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海德格尔不同意传统哲学对技术的界定,他在其存在论的基础上对技术的本质展开了追问.海德格尔经过对技术追问的逻辑发展,发现了技术的本质是座架,并对此提出了自己的解决方式,从而实现了对传统技术观的超越. 相似文献
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以石英基片为衬底,分别在常压0.1MPa和500MPa高压条件下采用原位聚合法制备聚苯胺(PANI)薄膜.通过对PANI薄膜的厚度进行原子力显微镜的直接测量和光谱的间接表征,建立了薄膜厚度df (nm) 与薄膜UV-Vis吸收光谱中400 nm处吸收强度A400间的关系: df = 548A400(0.1MPa)及df=341A400(500MPa).根据这一关系进一步测量了薄膜的生长曲线,并通过扫描电镜(SEM)形貌观测和电导率测试,研究了原位聚合PANI薄膜在不同合成压力下的生长及导电特性. 相似文献
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介绍了一种用压埋法合成块状MgB2超导体的新方法。采用该方法得到的样品的临界温度可高达38.4K,与常规方法得到的样品的临界温度相近。对这种方法的合成工艺进行了探讨,发现烧结温度(Ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大。在相同的0.5h保温时间条件下,烧结温度在1073-1123K温区获得的样品临界温度最高。固定烧结温度(1123K),不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低。进一步对样品的剩余电阻率比(RRR)进行研究,实验结果表明随着RRR数值的增加临界转变温度下降。这可能与样品内过量的杂质有关。 相似文献
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以过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法制备了12-硼钨酸钾(K5BW12O40·nH2O)与盐酸共掺杂的聚苯胺材料。通过傅里叶红外光谱分析、X射线衍射分析和电导率测试等手段研究了12-硼钨酸钾与苯胺单体的质量比(X)对掺杂聚苯胺结构和性能的影响,同时结合循环伏安测试研究了材料的电化学性质。结果表明,在掺杂过程中[BW12O40]5-作为对阴离子进入到聚苯胺链上,其含量随着X的增大而增多。进入分子链上的[BW12O40]5-阴离子会影响材料分子链排列的有序程度,进而影响材料的导电性能。合成的新材料可作为新型的电化学活性材料。 相似文献
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