排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用“预制层硒化法”制备CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)薄膜. 基于自主设计的“双层管式硒化装置”, 通过控制硒蒸气浓度优化退火工艺, 研究硒蒸气浓度对薄膜光电性能的影响. 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析(XRD)等手段对不同硒浓度氛围下生成的CIGS薄膜的成分和物相进行表征, 并在AM1.5、1000 W·m-2的标准光照条件下比较相应CIGS电池器件的输出性能. 实验结果表明: 饱和硒蒸气下退火得到的样品, 基底钼膜遭到严重腐蚀破坏, 失去背电极功能; 在低浓度硒气氛下退火不能有效消除CIGS薄膜的偏析和缺陷, 以致光电转换效率低; 而在无硒惰性氛围下退火的样品, 生成了物相均一化的CIGS薄膜, 由此制备的CIGS电池取得了8.5%的转换效率. 相似文献
2.
对传统欠压保护电路的缺点进行了分析,给出了一款基于比例电流的欠压保护电路,该电路有两个特点:电路结构简单容易实现,采用了Widlar电流源结构,不需要额外的外部基准;电路结构设计中,考虑了器件的温度特性,保证了电路的翻转阈值和迟滞量在正常温度范围内偏差不大.在基于0.6 μm的BiCMOS工艺库下对该电路进行了仿真验证,结果表明:在不同的模型下,阈值最大偏差为50 mV,在不同的温度下,阈值最大偏差为110 mV;该电路可应用于开关电源芯片中. 相似文献
3.
4.
本文研究随机过程在停时上的滤波问题。主要工作是对任意Ft——可测过程Zt,对任意有限停时τ,给出Ep(Zτ|FτN)的表达式。 相似文献
5.
两步法制备CIGS薄膜的工艺研究 总被引:2,自引:2,他引:0
本文主要研究了"预制层硒化法"制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备In、Cu-Ga金属预制层,然后进行硒化(450℃)以及退火处理(550℃)。SEM结果表明,在室温下溅射沉积In薄膜,并且采用Mo/Cu-Ga/In/Cu-Ga/In的叠层顺序,可以获得平整致密的CIGS薄膜。XRD和SEM测量显示,以单质硒作为硒源,在450℃的硒化之后生成分离的CIS和CGS相,惰性氛围的高温退火可以使分离的CIS和CGS相互融合,形成均一化的CIGS四元化合物。在此基础上,最终完成的CIGS电池光电转换效率为7.5%。 相似文献
6.
7.
直流磁控反应溅射法制备大面积AZO薄膜的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用锌铝合金靶在苏打玻璃上制备大面积AZO半导体透明薄膜,降低了靶材费用。实验中采用靶体旋转的直流磁控溅射工艺,提高了靶材利用率,实现了大面积均匀镀膜,并能获得定向生长的薄膜。文章介绍了采用该方法制备大面积薄膜的实验,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等多种分析方法对大面积薄膜的结构、形貌、电学性能及光学性能进行分析,实验结果表明,采用合金靶做靶源,氩作工作气体,控制好氧气分压,大功率溅射可以获得定向性好、致密、均匀、透射率高、电阻率低的优质大面积(300 mm×300 mm)AZO薄膜。 相似文献
8.
9.
在一般拓扑空间(X,τ)的非标准扩张(*X,*τ)中引入S-饱和集的概念。在一定条件下,St映射对于S-饱和集保持集的基本运算。基于这一事实,证明了标准Souslin集与Loeb可测集的关系定理,得到*μL-零集在St映射下μ-零集的一个充分条件。 相似文献
10.
页岩黏土孔隙含水饱和度分布及其对甲烷吸附的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
考虑储层原始含水特征,甲烷在页岩的吸附特征属于气液固三相复杂作用结果,水分在很大程度上影响页岩吸附能力,将成为制约页岩气资源量评估可靠性的主要原因之一.鉴于页岩水分主要分布于黏土等无机矿物孔隙内部,分析了甲烷-水膜-页岩黏土三相作用特征,结果表明:甲烷在干燥黏土表面吸附满足气固界面Langmuir吸附特征,在黏土水膜表面吸附满足气液界面Gibbs吸附特征,在气液固三相作用下满足"气固"与"气液"界面混合吸附特征;同时研究还发现:不同尺度孔隙内含水饱和度分布特征存在差异,部分小孔隙可以被水分充满,而大孔隙仅吸附一定厚度水膜.因此,水分对甲烷吸附能力的影响主要表现为两个方面:小孔隙被水分阻塞而失去吸附能力;大孔隙表面水膜改变甲烷吸附特征(气固界面吸附转变为气液界面吸附),以黏土样品为例,两者综合效应可以致使甲烷吸附能力降低约90%.从微观角度揭示了水分对页岩吸附能力的影响机理,将为建立合理评价页岩吸附气含量的方法奠定理论基础. 相似文献