首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   22篇
  免费   3篇
  国内免费   5篇
化学   3篇
综合类   3篇
物理学   11篇
综合类   13篇
  2023年   1篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2013年   2篇
  2012年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2006年   3篇
  2004年   2篇
  2002年   3篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1995年   1篇
  1992年   3篇
  1991年   1篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有30条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
通过微波寻离子体处理聚乙烯亚氨表面,实现聚乙烯亚氨与活化的人工晶体发生结合,在还原聚乙烯亚氨后,晶体再结合肝素,提高了人工晶体的生物相容性。  相似文献   
3.
利用密度泛函理论方法,优化得出复合体系的稳定构型.由于氢离子的半径最小,与氧形成了典型的化学键结合.离解能的大小随离子半径的减小而增强,并产生电荷从羰基向离子上转移的现象,转移的电荷部分填充离子核外空轨道,引起电荷趋于均匀分布,从而降低整个体系的能量.分析了复合体系的振动频率,受离子的影响,羰基的振动强度总体变弱,不同离子对其影响程度不同.  相似文献   
4.
 利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明,强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象。  相似文献   
5.
为有效选择隔热填料,系统研究了常用的成膜物种类和性质,以及填料的含水量、粒径大小、涂层干燥度等对导热系数的影响。通过对制备涂料涂层导热系数的测定,发现填料的表观密度和涂层干燥度对隔热效果的影响最大。因而在提高涂层的隔热性时,必须在实干状态下,尽可能选择比热小、表观密度适中、内部结构疏松、气孔率高、粒径大的隔热填料来制备热阻隔性涂料。  相似文献   
6.
软X射线辐照引起的InP表面电子态变化   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用X光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了软X射线辐照InP所产生的表面电子态的变化.实验结果表明,软X射线的照射,对In原子影响不大,而对P原子影响很大.分析了InP的辐照效应机理,解释了产生上述影响的原因. 关键词:  相似文献   
7.
生物材料是一个发展十分迅速的领域,良好的生物相容性是生物材料必须满足的基本要求,生物相容性主要指材料的组织相容性和血液相容性。主要概述了生物医用材料的种类和提高生物相容性的方法,包括人工血管内皮细胞化技术、离子束改性技术、自组装单分子层膜技术和材料表面肝素化技术等。材料表面改性,不仅能改善其生物相容性,还能提高其有关物理性能。目前常用的生物相容性的评价方法包括四甲基偶氮唑盐微量酶反应比色法、细胞培养法、测血小板法等。提高生物医用材料的应用效果,并大力发展这一新高科技产业,将具有重要的民生和社会意义。  相似文献   
8.
靳涛 《物理》1995,24(12):751-753
介绍了同步辐射X射线能量收边辐照技术和部分应用研究,简要阐述了单能软X射线辐射剂量参数的测量和计算方法。  相似文献   
9.
强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
 利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正向漂移,这一点与低剂量率辐射结果不同;辐射后,感生I-V曲线产生畸变;特别地,从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化,最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理,并对实验结果进行了解释。  相似文献   
10.
利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化。结果表明,辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷,电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大,质子辐照后则未观察这一现象,当质子辐昭到10^14p/cm^2时,引起部分体缺陷顺磁中心的消失,电子辐照后,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大,表明电子与质子辐照作用机制的差异,质子辐照中位移效应和H^ 的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号