体育思维性教学对提高专业技能的帮助

采用田径的跳高项目来进行思维性教学,因为跳高的教学难度较大.首先,初学者认为难学,感到在快速助跑中起跳过杆难以控制,不易学会;其次,害怕面对横杆,有恐惧心理.具体表现为:不敢跳或把横杆推倒等现象.一正是这样的心理障碍阻碍着他们对跳高技术的掌握.所以,学生在技能学习的定向和模仿阶段,老师在内容的安排和方法的选择上尽量渗透心理诱导的因素,采取思维性教学方法,使学生们尽可能做到想与练的完美结合,从而克服心理障碍、尽快掌握跳高技术.     

硫酸铵存在下碘化物-乙基紫-异丙醇体系萃取分离镉

研究了在硫酸铵存在下,碘化物-乙基紫-异丙醇体系萃取镉的行为以及异丙醇水溶液的分相条件。实验表明,异丙醇作为萃取溶剂,能萃取中性离子缔合物。溶液pH1-6时,该体系能使Cd^2 从常见过渡元素Fe^3 、Co^2 、Ni^2 、Mn^2 、ZN^2 的混合液中分离出来。     

钢在镀铬渗碳后的组织和耐磨性

20、45、T7、T10钢试样,在镀铬后进行渗碳.金相观察和x—射线衍射分析表明,渗层由内渗层和外渗层两部分组成.由表及里相组成分别为Cr_2O_3、Cr_3C_2、Cr_7C_3、Cr、Cr_7C_3、Cr_3C_2.当镀铬层较薄时,Cr相消失.由于渗层硬度很高,试样的耐磨性得到明显提高.本文对渗层形成机理亦进行了探讨和分析.     

呼和浩特市土地生产潜力预测模型研究

根据呼和浩特市农村土地资源的特点、利用现状以及一般作物特征，建立了土地生产潜力估算模型，并把温度、水分、土壤肥力、投入水平、春旱等限制因子对土地气候生产潜力的障碍作用，进行了定量模拟分析，探讨了提高区域土地生产潜力的对策．     

SiO2包覆Y2O3:Er3+纳米粉的制备及发光性能

用微乳液法合成出SiO2包覆的Er3+掺杂的Y2O3粉体.X射线衍射结果表明,所制备粉体为立方Y2O3结构.透射电镜照片显示,其颗粒形状近似为球形,粒径为20～50 nm.该粉体在波长为980 nm的半导体激光器激发下发射出中心波长为562 nm的绿色和660 nm的红色上转换荧光,分别对应于Er3+离子的4S3/2/...     

γ—Fe2O3溅射磁膜的制作

用溅射技术制作γ－Fe2O3磁性薄膜，并通过透射电子显微镜观察磁性薄膜的电子显微像和选区电子衍射环，进行了γ－Fe2O3晶体结构分析，讨论了多晶薄膜的生长条件。     

Nd：YAG板条激光增益介质封装技术研究进展北大核心CSCD

为实现大尺寸、高储能的Nd:YAG板条激光增益介质模块的高可靠性工作,必须找到合适的封装工艺解决大尺寸无空洞、低热阻界面连接问题和界面低应力、低透射波前畸变问题。在充分了解板条激光增益介质和冷却单元的特性后,选择了延展性好的铟作为焊料,实验得到最佳焊料层厚度,通过改进封装工艺的钎焊技术将这两部分可靠地连接在一起。改进的封装工艺实现了钎焊面积大于40cm2,空洞率小于0.5%,最大空洞面积小于1mm2的技术指标,工艺重复性大于90%。通过对焊料层的优化实现了尺寸为150.2mm×30mm×2.5mm板条激光增益介质静态透射波前畸变小于1μm,成品率优于80%,静态透射波前畸变小于1.5μm的模块成品率接近100%的技术指标。采用改进封装工艺焊接的单模块Nd:YAG板条激光器稳定输出功率达到4000 W。     

SiO2包覆Gd2O3:Er3+,Yb3+纳米粉的制备、结构及发光性能

用微乳液法合成出SiO2包覆的Yb3+,Er3+离子舣掺杂的Gd2O3粉体,X射线衍射结果表明所制备粉体为立方Gd2O3结构.透射电镜照片显示其颗粒形状近似为球形,粒径为10～40 nm;该粉体在波长为980 nm的半导体激光器激发下发射出中心波长为562 nm的绿色和660 m的红色上转换荧光,分别对应于Er3+离子的4S3/2/2H11/2→4I15/2跃迁和4F9/2→4I15/2跃迁.发光强度和激发功率关系的研究揭示其均为双光子过程,能量传递和激发态吸收是上转换发光的主要机制.由于其具有高效的上转换发光性能,而经过纳米复合后制成的纳米Gd2O3(核)/SiO2(壳),容易溶于水并易于和有机物结合,能与生物分子结合.     

二极管激光器阵列封装工艺对smile效应影响因素分析

Smile效应是限制二极管激光器阵列应用的一个重要因素。研究了激光器封装工艺对smile效应的影响,研究结果表明,造成smile效应的因素主要有两个:一是焊接过程中芯片的焊接压力不均匀;二是芯片与热沉的热膨胀系数不匹配。使用低膨胀系数的压条可以改善焊接过程中芯片压力的均匀性,而增大焊料凝固过程中的降温速率可以降低芯片与热沉的收缩量的差距,这两种方法都有利于改善smile效应。最后通过实验结果证明了以上方法在实际操作中是可行有效的。     

富Ti-TiNi形状记忆合金薄膜的析出相与相变

研究溅射富Ti－TiNi合金薄膜中的析出相及相变温度随退火温度和时间的变化规律;同时对富Ti－TiNi合金薄膜的马氏体相变温度比块村富Ti－TiNi合金及富Ni－TiNi合金薄膜低的原因进行讨论．