SiOx纳米管的制备及其发光特性

以液态金属镓为媒介,利用热蒸发法合成大量非晶SiOx纳米管,这些纳米管管径均匀分布,平均约80 nm,长度大于10μm,且管内外径比例较小．分析发现,在实验过程中,熔入金属镓液滴中的硅元素和氧元素结合并从液滴的表面饱和析出,形成以镓为中心的非晶SiOx纳米管状结构．在室温中,利用260 nm的激发光源激发SiOx纳米管,发现在蓝光波段附近发出强而稳定的PL谱线,这可能与样品中的氧缺陷和空位有关．     

SiOx纳米管的制备及其发光特性

Amorphous SiOx nanotubes with homogeneous diameters were fabricated in large-scale on silicon substrate by thermal evaporation method, with liquid gallium as medium. The average diameter of tubes is about 80 nm and the length is more than 10 1m, with small ratio between the inner and outer diameter of the tube. The silicon element in the substrate and the residual oxygen element in reaction chamber were first dissolved into liquid Ga. Then the SiOx precipitated from the surface of gallium droplet, forming the nanotube structure with Ga droplet being the center. The room temperature photoluminescence measurements under excitation at 260 nm show that the SiOx nanotubes has a strong blue emission at 453 nm with two shoulders at 410 and 480 nm respectively, which may be related to oxygen defects. The preparation method improved the traditional complicated method and also provided a new way to fabricate SiOx nanotubes in large quantity.     

负压实型铸造铝合金件防止粘砂的工艺研究

文章通过对负压实型铸造中负压和铝合金粘砂形成的内在关系的研究，从工艺角度提出，合适的初始负压度以及合适的浇注系统尺寸是防止负压实型铸造铝合金件粘砂的又一有效途径．     

熔盐法生长ZnO单晶颗粒的机制与光学性能研究

文章采用熔盐法生长ZnO颗粒,研究了颗粒生长机制以及合成条件对于颗粒晶体质量和光学性能的影响.研究发现:熔盐法生长的ZnO颗粒为单晶,具有六角纤锌矿结构,其生长机制由Ostwald熟化生长和取向联结生长2种机制组成;此外,煅烧条件对于颗粒的晶体质量和发光性能均具有很大影响;Ar气负压条件下的高温煅烧有助于提高颗粒整体的结晶质量,但同时也会在颗粒内引入氧空位缺陷,从而使其具有较强的绿光发射性能;而ZnO颗粒在空气常压条件下煅烧虽然可以减少氧空位缺陷,但是其较快的生长速率却会在颗粒内引入应力和其他缺陷,从而降低颗粒的晶体质量,造成其发光性能很弱.     

消失模型内球化处理反应室的设计

提出了消失模型内球化处理反应室的设计方法和步骤，通过试验进行了验证，并指出该方法本身具有良好的瞬时孕育效果。     

喷射速度对回转水纺丝法制备Fe－Si－B合金细丝成丝性的影响

回转水纺丝法是一种制备圆形戳面光滑连续细丝的新技术．喷射速度是重要工艺参数之一．对Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ合金，当喷射速度过小时．只的得到缩颈状丝或粉丝历位．当喷射速度与水层速度之比Ｖｊ／Ｖｗ大于１．１９时，只能得到弯曲状细丝当Ｖｊ／Ｖｗ小于１．０６时，得到短丝．仅当Ｖｊ／Ｖｗ在１．１１—１．１６之间，才能得到光滑连续细丝．     

金催化合成硫化锌纳米线及其发光性质的研究

采用金催化和直接蒸发ZnS粉末的方法,合成出大量具有纤锌矿结构的单晶ZnS纳米线。该纳米线的线径均匀,线形规则,直径在80~120 nm,长度约几十微米。研究发现纳米线的形貌对合成的温度很敏感,合成温度的升高会导致纳米线直径的迅速增加。单根纳米线EDS分析表明,ZnS纳米线线体中均匀分布着Au元素,Au元素的掺入是纳米线生长形成后由端部颗粒通过固态扩散进入纳米线中。室温光致发光谱显示:ZnS纳米线有两个发光峰,分别位于446 nm和520 nm处。446 nm的发光峰是由缺陷所致,而520 nm左右的发光峰是由Au元素掺杂所致。     

掺铟氧化锡“之”字形纳米线结构及发光性能研究

掺铟氧化锡(ITO)是一种宽带隙透明导电半导体材料,广泛地应用于各种平板显示器和气敏元件等。该文利用碳热还原方法成功制备出铟掺氧化锡"之"字形掺铟氧化锡纳米线结构,借助X射线衍射分析仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜以及能谱分析观测纳米线的结构形貌以及成分分析,提出了一种"之"字形结构可能的形成模型,并进一步研究了氧化铟锡在室温下的光致发光性能;光致发光光谱主要包含有5个发光峰,分别是紫光峰(400 nm)、蓝光峰(452 nm,470 nm)、青光峰(487 nm,497 nm)。     

实型铸造铝合金件中负压的应用

研究了实型铸造中负压和铝合金件粘砂形成的内在关系，从工艺角度提出合适的初始负压度以及适当的浇注系统尺寸是防止实型铸造铝合金件产生塌箱及粘砂的有效途径。     

Fe48Co52 Alloy Nanowire Arrays: Effects of Magnetic Field Annealing

详细研究了磁场退火对于具有不同线间距(30～60 nm)和不同线直径(22～46 nm)的Fe48Co52合金纳米线阵列性能的影响．研究表明,退火过程中沿纳米线方向施加3kOe的磁场对于阵列的最佳退火温度和晶体结构以及线直径较小或线间距较大阵列的磁性能均无明显影响．但是对于具有较大线直径或较小线间距的阵列,这种磁场退火处理限制了其易磁化方向的转动并明显提高了其矫顽力与矩形度．认为不同阵列内部有效各向异性场强度之间所存在的差异是导致磁场退火后阵列磁性能出现不同变化的主要原因．