掺钛氧化锌纳米薄膜的研究进展

在论述磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜研究意义的基础上,介绍了目前国内外有关采用磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜的研究现状,并展望了掺钛氧化锌薄膜的未来研究方向。     

铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应

简要介绍高温超导体的发展以及研究状况.实验显示,可用正电子湮没参数来表征元素掺杂对超导体的超导转变温度、结构缺陷和相变的影响.表明了正电子湮没技术是研究铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应的有效手段.     

氧氩流量比对氧化铋纳米薄膜微结构及光电性能的影响研究

为了制备出不同光电性能的氧化铋薄膜,并明晰其性能机理,以便后续研究与氧化锌薄膜复合成压敏薄膜.采用磁控溅射法,改变溅射气氛中氧气和氩气的流量比,在玻璃衬底上制备出了三个氧化铋薄膜样品,并对其微观形貌、结构及光电性能进行了测试分析.结果表明:溅射气氛中的氧氩流量比对薄膜微结构及光电性能影响显著;不同氧氩流量比制备的Bi2...     

含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究

通过测量过渡金属元素（Ti,V,Cu）以及TiAl基合金（Ti5A150,Ti50A148V2,Ti5A148Cu2）的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息．结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强．二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大．在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加．Ti,A148cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金．     

实施“国家高技能人才振兴计划”背景下的高技能人才培养策略研究

在"国家高技能人才振兴计划"被列为国家中长期人才发展规划(2010-2020年)的重大人才工程的背景下,对目前我国高技能人才队伍的基本状况及实施高技能人才振兴计划面临的挑战进行了深入的分析,并提出了相关的对策建议。     

单细胞喇曼光谱分析高渗环境对酵母乙醇发酵代谢的影响

应用喇曼光谱和单细胞分析技术监测非发酵底物形成的不同高渗透压对酿酒酵母乙醇发酵的影响,及发酵过程胞内主要生物大分子的变化动态,以期从光谱学角度获知酵母细胞乙醇耐受的分子机制.结果显示,渗透压的升高明显延缓酵母细胞的生长、底物消耗和产物生成,但在2.0mol/L山梨醇下乙醇的最终产量高于对照组.主成分分析显示,不同渗透压主要影响酵母细胞光谱的1 300~1 306和1 443cm-1等源自脂类物质的喇曼峰,说明渗透压影响了胞内脂类物质的合成.主特征峰强度的动态变化显示,高渗透压会显著影响782、1 301、1 602和1 657cm-1峰所表征物质的合成时间和强度,进而影响细胞的代谢方向.结果表明耐高渗菌株能适应高渗环境,调整胞内组分含量,实现高产发酵.     

溅射压强对掺钛氧化锌纳米薄膜微结构和光电性能的影响

采用射频磁控溅射法,采用不同的溅射压强将同一掺钛氧化锌靶材在普通玻璃衬底上溅射出八个TZO(掺钛氧化锌)薄膜样品,测试其微结构和光电性能,分析其薄膜性能与溅射压强之间的微观机理,从而获得制备性能优越的TZO薄膜所需的最佳溅射压强.结果表明:所有样品均为具有c轴择优取向的六角铅锌矿多晶纳米薄膜;溅射压强对薄膜微结构和光电性能有显著的影响;溅射功率为150 W,氩气流量为25 sccm,衬底温度为150℃,压强为0.5 Pa时制备的薄膜光电性能较好,具有较大晶粒尺寸,在可见光区(400 ～ 760 nm)有较高的平均透过率达91.48;,较低电阻率4.13×10-4 Ω·cm,较高的载流子浓度和较大迁移率.     

石墨晶体中电子动量分布的各向异性研究

测量了石墨和纳米碳样品沿不同方向的正电子湮没辐射Doppler展宽谱,研究样品中电子动量分布.结果表明,纳米碳样品的缺陷浓度高于石墨;石墨中自由电子的平均动量高于纳米碳.石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性: 沿石墨晶体的[0001]方向的自由电子(即2Pz电子)的动量最大;偏离该方向越大,自由电子的动量越小;垂直于[0001]方向的自由电子的动量最小.而且,Doppler展宽谱的S参数与cos2θ呈线性关系(θ是石墨[0001] 晶向与探头方向的夹角);而纳米碳中自由电子动量的分布不存在明显的各向异性.