含氟废水处理研究与应用

本文就近年来国内对含氟废水处理研究及应用概况作了简要综述，可看出含氟废水处理的研究有了较大进展。     

高能中子消失法的检验

以前在贫化铀／聚乙烯／铁组合球装置上进行的高能中子消失法的检验，存在的问题在于贫化铀内腔太小，距离的微小误差就会对实验结果产生很大影响，实验重复性差。因此用同样是中子增殖材料的铍代替贫化铀作补充实验。这样，一则可以减小因为距离的偏差对实验的影响；二则可能对^197Au(n，γ)、^198Au反应的影响再做研究。用铍／聚乙烯／铁组合球装置，在ns-200加速器上照射，用HPGe探测器测量．Au，Al，Nb高阈能指示剂的活化γ射线，确定它们在装置中的反应燃耗，以此检验高能中子消失法。     

一种新型锂离子电池用聚合物电解质复合膜的制备和性能表征

阐述了一种新型锂离子电池用PVDF-HFP(聚偏氟乙烯-六氟丙烯聚合物树脂)基聚合物电解质复合膜的制备过程. 对复合膜中使用的无机TiO2纳米颗粒进行固体超强酸化处理, 并进行颗粒表面酸强度H0测试、XRD晶体结构分析以及复合膜的电解液吸附率测试和电化学阻抗谱测试. 采用PE无纺布支撑体作为增强材料, 以浸涂方法制备复合膜,并进一步组装为锂离子电池, 性能测试表明该电池具有良好的电化学性能.     

甘蔗渣处理中成药制药废水的研究

采用铁活化甘蔗渣对中成药制药废水进行吸附研究,以脱色率和CODcr去除率为评价指标,考察了pH值、投加量、温度、H2O2加入量和反应时间等因素对废水吸附效果的影响.结果表明,随着pH值的升高,脱色率和CODcr去除率均先增高后降低;增加甘蔗渣投入量,CODcr去除率上升,而脱色率下降;高温不利于废水的处理;H2O2加入量对脱色率有显著的影响;反应时间对脱色率和CODcr去除率也有一定的影响.实验最佳处理条件为:处理液pH值为初始液pH值,在50mL废水中投加量为3.0g,温度为35℃,H2O2加入量为4.0mL,反应时间为2h.在最佳条件下,制药废水的脱色率和CODcr去除率分别为87.59%和51.88%.同时用红外吸收光谱对甘蔗渣结构进行了表征.     

低温下的一维各向异性海森堡反铁磁体的磁性质

利用自旋波理论的方法研究了自旋S=1／2的一维各向异性海森堡反铁磁体的磁性质,推导得到了内能和比热与温度的关系：U（T）～Tα和Cm（T）～Tβ,同时研究还得出指数仅,届与各向异性参数、内磁场的关系．在零温和零磁场的条件下,计算得到基态能量和长程序,得出在各向异性参数值小于1时,长程序的值不会消失．在各向同性的情况下,长程序的结果与各向同性链模型的结果一致．     

单分散GdxY2-xO3:Eu3+纳米颗粒的制备及其荧光性能

本文采用均相沉淀法制备了单分散Gd_xY_2-xO₃:Eu³⁺纳米颗粒,并利用SEM,TEM,XRD和荧光光谱对产品的形貌,晶体结构和荧光性能进行了表征.结果发现适量Gd³⁺的加入对Y₂O₃:Eu³⁺的发光具有显著的增强作用.同时达到最大荧光强度所需的价格较贵的Gd³⁺用量,也从燃烧法的80%大幅减少到20%.另外,本文还进一步研究了Eu³⁺浓度对纳米颗粒荧光性能的增强效果.     

新型稀土铁系固体超强酸的制备和三醋酸甘油酯的催化合成

用稀土元素La^3 对铁系固体超强酸Fe2O3／S2O8^2-进行改性,制备出新型稀土铁系固体超强酸催化剂Fe2O3／S2O8^2-/La^3 ,并将其用于催化合成三醋酸甘油酯。酯化反应的最佳条件为：甘油100mmol,n(酸)：n(醇)=6：1,催化剂用量为原料总质量的3．3％,反应时间3h,带水剂苯7mL,酯化率达93％以上。     

聚合物薄膜修饰电极及其新进展

简介了聚合物薄膜修饰电极的基本类型，讨论了电极修饰的聚合物材料、修饰层结构和在应用方面最近的进展。     

锗、铁、镍等离子软X射线谱的测量和分类

为了研究铁周期元素的高剥离态离子谱,在LF—11~#激光装置上,用激光辐照钛、铁、镍等元素的固体平面靶,产生高离化态等离子体。聚焦在靶面的激光功率密度为5×10~(13)—1×10~14瓦/厘米~2,焦斑直径60—80微米,脉冲宽度350—824皮秒,激光波长1.06微米。用KAP平晶摄谱仪测量了等离子体发射的软x射线谱,其波长范围为8—20A。 根据发表的离子谱线波长和离子能级数据,并用等电子序列内插外推的方法,对59条钛离子谱,92条铁离子谱和90条镍离子谱进行了分类,它们分别属于TiXVⅡ—TiXXⅡ,FeXⅥ—FeXXⅥ,NiXⅦ—NiXXⅦ等离子的2s—nP,和2p—ns,np,nd(n=3—8)等类型的跃迁。     

分子晶体环上的椭圆函数波

得到了环上的有色散项的分子晶体模型的椭圆函数波解．当环的周长趋于无穷大时，模型的椭圆函数波解回复于一维链的改进光学极化子解．计算了模型中自陷态的晶格位移和电子的自陷阱．