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在自行研发的0.8 μm SOI工艺平台上开发了基于SOI技术的单层多晶硅EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)和SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)EEPROM,并进行了抗总剂量辐照实验研究,分析了各种EEPROM结构在抗总剂量辐照下的失效机理.结果表明基于SOI 技术的SONOS EEPROM具有良好的抗总剂量辐照性能,为抗辐照EEPROM电路中的存储单元结构选取提供了依据.
关键词:
EEPROM
SOI SONOS
辐照
浮栅 相似文献
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随着互联系统网络和容量的增大以及电压等级的增高,电力系统故障所影响的地域范围和用户数量也越来越大。继电保护作为电力系统的第一道防线,在防止故障及扰动上发挥着重要的作用,其正常工作与否将对电力系统的运行造成重大影响。本文综合考虑了影响继电保护系统可靠性的各个因素,包括可靠性指标及可靠性指标分析。最后通过继电保护装置模型实例分析了继电保护装置的可靠性。 相似文献
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