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影响霍山石斛原球茎生长的若干因素 总被引:2,自引:0,他引:2
以霍山石斛原球茎为材料,研究了培养天数、不同生理状态、接种密度以及迭层培养方法对其生长的影响.实验结果表明:颜色翠绿形态饱满、组织致密的原球茎增殖和增重迅速;相同生理状态的原球茎在15~45d内增殖和增重最为显著;8个原球茎为一组的接种方式有利于原球茎的增殖和增重;迭层培养对上层原球茎增殖和增重具有明显效果. 相似文献
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研究了不同香蕉品种、成熟度和提取方式的香蕉提取物及其浓度对霍山石斛原球茎形成和小苗生长的影响.试验结果表明:相同浓度下广东芝麻香蕉提取物对霍山石斛原球茎形成最为有利;不同成熟度的试验中,刚成熟的马来西亚帝王香蕉混合提取物对霍山石斛原球茎形成最为有利,已烂熟的可加快小苗的生长,浓度为15%.不同提取方式的马来西亚帝王香蕉提取物试验结果表明:提取物沉淀有利于基部原球茎的形成和小苗的生长. 相似文献
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A theoretical study of harmonic generation in a short period AlGaN/GaN superlattice induced by a terahertz field 下载免费PDF全文
Based on an improved energy dispersion relation, the
terahertz field induced nonlinear transport of miniband electrons in
a short period AlGaN/GaN superlattice is theoretically studied in
this paper with a semiclassical theory. To a short period
superlattice, it is not precise enough to calculate the energy
dispersion relation by just using the nearest wells in tight binding
method: the next to nearest wells should be considered. The results
show that the electron drift velocity is 30% lower under a dc
field but 10% higher under an ac field than the traditional
simple cosine model obtained from the tight binding method. The
influence of the terahertz field strength and frequency on the
harmonic amplitude, phase and power efficiency is calculated. The
relative power efficiency of the third harmonic reaches the peak
value when the dc field strength equals about three times the
critical field strength and the ac field strength equals about four
times the critical field strength. These results show that the
AlGaN/GaN superlattice is a promising candidate to convert radiation
of frequency ω to radiation of frequency 3ω or even
higher. 相似文献
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对大岩桐试管块茎形成的若干因素进行了研究.结果表明,外植体类型、碳源种类、光照条件以及BA浓度对大岩桐试管块茎形成具有明显影响.以叶为外植体比顶芽更有利于块茎的形成;食用白糖可代替蔗糖促进块茎的形成,从而可以大大降低生产成本;全光照条件更有利于块茎的形成;而BA则会抑制大岩桐试管块茎的形成. 相似文献
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通过白化权函数以及灰色聚类权的计算,得到聚类系数,从而对观测对象进行分类,构建了基于灰色聚类法的评价指标体系.以山西省大同县地下水水质监测资料为基础,依据国家地下水环境质量标准,评价了地下水水质,并分析了主要污染物的成因.结果表明,在所有监测点中,水质达到质量标准Ⅲ类水及更高要求的占46%,水质不达标占54%.研究结果比较客观地反映了当地地下水质量的类别,可为地下水的科学合理的开发利用提供依据. 相似文献
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分析了栅槽深度对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,并对不同栅槽深度的器件特性进行了模拟,得到了器件饱和电流、最大跨导和阈值电压随栅槽深度的变化规律.当槽栅深度增大,器件饱和电流逐渐下降,而最大跨导逐渐增大,阈值电压向X轴正方向移动.研制出不同栅槽深度的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT,用实验数据验证了得到的不同栅槽深度器件特性变化规律.从刻蚀损伤和刻蚀引入界面态的角度分析了模拟与实验规律产生差别的原因.
关键词:
高电子迁移率晶体管
AlGaN/GaN
槽栅器件 相似文献
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