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从数值上证明了在非连续的Lorenz映射系统中存在以参数超几何收敛,周期数以Fibonacci数序列递增的超Feigenbaum普适性。为下一步的符号动力学研究打下了较好的基础。 相似文献
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Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
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在常规核磁共振谱仪上自行设计和研制了一套磁共振微成象系统,改装谱仪的选择激发单元,制作梯度场放大器、梯度场线圈,改造探头。由基于IBMPC的主控计算机负责脉冲序列波形产生、软脉冲波形产生、数据处理、图像重建以及成象实验的协调和控制,配合谱仪进行了自旋回波脉冲序列的成象实验,获得了较高质量的质子密度图像,该成象系统制作成本低、实验参数改变方便,适合于在未带成象功能的磁共振谱仪上进行成象技术研究。 相似文献
7.
文章在小波分析的基础上,提出了一种在图像的小波分解数据域中实现对称变换的方法,并把这种方法运用于人脸特征的定位,这种方法可以提高人脸特征定位的效率。 相似文献
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为了分析多孔沥青混合料渗水性能的方向差异特征及其受连通孔隙结构的影响规律,通过自行研发的渗水仪测试了4个空隙率下OGFC-13和OGFC-10混合料试件空间24个方向上的渗水系数.结合CT扫描和图像处理方法,重构了4个空隙率下OGFC-13混合料试件的三维孔隙结构.提取连通孔隙后,分析了影响混合料渗水方向差异性的孔隙结构指标.结果表明:多孔沥青混合料渗水系数存在明显的方向差异性,竖向截面内水平方向上的渗水系数最大;水平截面也存在方向差异性,但其与方向之间的关系不明确;空隙率越大,采用集料的公称最大粒径越大,则方向差异性越小;相比水平向连通孔隙,混合料内部竖向孔隙的水力直径虽略大,但数量少且总长度短,这是影响渗水系数方向差异性的主要原因. 相似文献
9.
为了拓宽等离子体参数测量范围,对EAST极向弯晶谱仪(PXCS)进行了升级改造。配合高通量大面积水冷固体探测器,提高了极向弯晶谱仪系统的光子计数率、时间分辨率、空间探测范围以及长时间运行稳定性,并在EAST装置上成功运行。实验结果表明,升级后的谱仪获得了高信噪比的类氦氩离子的母线及其一系列伴线谱,通过光谱拟合分析给出了等离子体温度时间演化及其剖面信息,测量结果与切向弯晶谱仪的数据一致,验证了极向弯晶谱仪的升级结果和数据测量的可靠性,并且在EAST长脉冲实验运行也能够稳定地提供全时间的参数分布。 相似文献
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以水热法合成的ZnO纳米棒花为载体,将C_3N_4定量负载在其表面,制备C_3N_4/ZnO复合材料.由于C_3N_4与ZnO的能级匹配,可有效促进其光生电荷的分离,降低光生电荷复合率,显著提高载流子浓度,使其光电流明显增加.C_3N_4与ZnO质量比为2%的样品(2%C_3N_4/ZnO)性能最佳,其光电流在370 nm处可达120μA,为纯ZnO的2.4倍.在室温可见光下,2%C_3N_4/ZnO样品对HCHO的光电气敏响应值可达122%,比纯ZnO高4倍左右.结果表明,适量C_3N_4的负载有效延长了光生电荷的寿命,使ZnO材料在可见光区对HCHO气体表现出高效的光电气敏性能. 相似文献